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[参考译文] TMS570LS3137:异步存储器 DS1747W-120IND+的 EMIF 接口

Guru**** 2470720 points
Other Parts Discussed in Thread: TMDS570LS31HDK, HALCOGEN

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1211631/tms570ls3137-emif-interface-to-asynchronous-memory-ds1747w-120ind

器件型号:TMS570LS3137
主题中讨论的其他器件:TMDS570LS31HDKHALCOGEN

您好!

我正在使用 TMDS570LS31HDK Hercules TMS570LS31x/21x 开发套件。

我想将外部 RTC NVMRAM DS1747W-120IND+连接到此 开发套件并使用此配置。

Halcogen 配置

  1. 已在驱动程序 TAP 中启用 EMIF 驱动程序
  2. VCLK3为40MHz
  3. Pinmux 选项卡检查 EMIF、在特殊引脚复用选项中检查 EMIF_CLK 输出。
  4. EMIF 选项卡中   

         EMIF 常规抽头已选中 EMIF async1

         EMIF Async1轻触 WSETUP =15周期

                          WSTROBE =63个周期

                          whold = 0周期

                          RSETUP = 15周期

                          RSTROBE =63个周期

                          RHOLD = 0周期

                        TA = 3周期

                         ASIZE = 8位。

使用的连接

      

DS1747W-120IND+引脚图

问题是、在0x60000000位置写入一个字节的数据时接下来的位置 0x60000001 、0x60000002 、0x60000003、0x60000004 数据也被写入、我无法读取或写入 RTC 数据。

然后才能 写入数据

更大限度地提高 SNR  

这是我使用的代码

感谢您的帮助。

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    尊敬的 Veerappan:

    如果您确定 EMIF 时钟为40MHz、那么您可以按照以下方式更改 HALCoGen 中的特性并尝试一下吗?

     EMIF Async1抽头           WSETUP = 4周期

                              WSTROBE =3周期

                              whold = 0周期

                              RSETUP = 0周期

                              RSTROBE = 4周期

                              RHOLD = 1周期

                            TA = 0周期

                             ASIZE = 8位。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    你好、  jagadish gundavarapu、

      我尝试了与上述配置相同的结果。

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    尊敬的 Veerappan:

    您是否有任何逻辑分析仪?

    如果您有逻辑分析仪、那么我们可以探测一些数据线路和时钟线路、以便我们可以查看控制器是否真正发送5个字节或出现 RTC 故障。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    你好、  jagadish gundavarapu、  

    使用数字存储示波器监控 TMDS570LS31HDK 的芯片使能和写入使能引脚、同时我写入 单字节数据

     

    0x60000000 LOCATION 写入使能信号下降五次。   

    0x60000001位置写入使能信号下降四次。

    0x60000002位置写入使能信号下降三次。  

    0x60000003位置写入使能信号下降两次。

    0x60000004位置写使能信号下降三次。  

    但在读取单个字节时、执行每个读取操作时、读取使能(NOE)仅运行一次。

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    尊敬的 Veerappan:

    我在旧线程中发现了一个类似的问题、

    在这里、他们通过将存储器类型配置为"STRONGLYORDERD"来解决问题

    (+) EMIF -具有单个16位数据传输的多脉冲写入使能-基于 Arm 的微控制器-内部论坛-基于 Arm 的微控制器-内部- TI E2E 支持论坛

    您是否可以 将其更改为 STRONGLYORDER 并再次进行测试?

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    你好、  jagadish gundavarapu、

    页面未找到错误提示信息

    我尝试了上述配置映像在执行单个写入时仍然存在多个写入。

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    尊敬的 Veerappan:

    这是我提到的线程。

    我尝试了上述配置图像在执行单次写入时仍然存在多个写入。

    您是否配置并检查了正确的地址范围?

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    仍存在多个写使能脉冲。

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    尊敬的 Veerappan:

    我将就此与内部团队讨论一次、以确定是否存在此问题的其他根本原因? 我会尽快作出回应。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    尊敬的 Veerappan:

    您是否有可能分享您的整个项目一次? 请压缩完整的项目并分享。

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    感谢您分享代码 Veerappan。

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    尊敬的 Veerappan:

    看起来您针对同一问题提出了另一个主题吗?

    (+) TMS570LS3137:EMIF NAND 闪存接口-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

    如果是这样的话、我想关闭这个主题、因为我将只与 QJ 讨论这个主题。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。