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[参考译文] TMS570LS3137:EMIF NAND 闪存接口

Guru**** 2472420 points
Other Parts Discussed in Thread: TMDS570LS31HDK

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1220824/tms570ls3137-emif-nand-flash-memory-interface

器件型号:TMS570LS3137
主题中讨论的其他器件:TMDS570LS31HDKHALCOGEN

大家好、我想将 NAND 闪存(MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR)连接到  TMDS570LS31HDK Hercules TMS570LS31x/21x 开发套件。

问题是、当连续写入8000字节的数据时、 中间缺少一些数据。

GPO 引脚用于 ALE (GPOA 7)、CLE (GPOA  5)。

*注:对于芯片选择, 我 使用的是 EMIF 的 nDQM 引脚,而不是 EMIF 的 NCS2引脚。 因为在写入单字节数据时会产生多个写入脉冲。

配置

实现这一目标  

要发送数据、我使用"for" 循环。

如果我运行上述代码、它会将数据写入 NAND 闪存中。 但这里出现 了两个问题

第一个是在写入45个数据时缺少一些数据。  

第二个问题是、如果我要将数据长度从45、100、1000或8000增加、它无法写入。 在读取时、它为所有数据提供0xFF。

因此、在我在每个数据之间设置延迟后、第二个问题就解决了、但我不知道它是如何工作的。

但第一个问题仍未解决。

我在下面附上了完整的项目文件。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Veerappan:

    我们已着手解决您的问题、并将很快提供更新。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    TMS570上的 EMIF 支持具有与典型 NOR 闪存和 SRAM 兼容的专用信号的异步接口。

    TMS570设备上的 EMIF 没有"就绪/忙"(R/B#)信号。 如果 NAND 闪存器件忙于一个擦除、编程或读取操作、R/B+信号被置为低电平。  TMS570本机不支持 NAND 协议。

    您可以尝试 EMIF EMIF_nWAIT 来连接 NAND R/B+信号。  R/B+信号为开漏信号、需要上拉电阻。