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[参考译文] AM2434:AM2434

Guru**** 1785650 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1218189/am2434-am2434

器件型号:AM2434

您好!

我在 (+) AM2434:OSPI 闪存 IO 擦除中发现了类似或相关问题扇区无法成功? -基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- 使用 EVM 的 TI E2E 支持论坛。

我暂时将内存地址调整为256KB 对齐、所以我不会再遇到这个问题。 不过、我遇到了另一个问题、想问这是 SDK 的限制还是闪存问题本身。

擦除256KB 存储器区域后、我已经写入256KB 区域的前4K (例如:偏移= 0)并且成功。 然而、在第二次4K 迭代时(偏移量+= 4K)、闪存写入失败。  
是否有任何要求、即擦除后应立即执行写入? 我已经尝试再次擦除256KB 并写入第二次迭代的偏移、它对我来说是有效的。

在再次执行一个写入之前、我需要做些什么吗?

我们将感谢您提供任何帮助。

谢谢。

Grace

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    更新:
    在上述问题中、我写入的256KB 部分位于闪存的顶部。 我正在尝试  根据数据表找到闪存芯片扇区映射的 CFRN3设置、但找不到外部闪存寄存器的存储器映射地址? 有人能帮我指出这一点吗?

    另一个更新:

    找到了 quirk 函数的钩子,我的问题得到解决,并确认它是为256KB 体系结构的制服部门设置的。