[参考译文] MSPM0L1304：&quot；公差和 quot；在&quot；低 ESR 电容器和 quot；中的定义

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1212540/mspm0l1304-definition-of-tolerance-in-a-low-esr-capacitor

尊敬的专家：

关于 MSPM0L1304SDYY、请确认数据表对 P15的以下陈述。

(1)分别在 VDD/VSS 和 VCORE/VSS 之间连接 CVDD 和 CVCORE 并尽可能靠近器件引脚。 CVDD 和 CVCORE 需要一个至少具有该额定值和±20%或更高容差的低 ESR 电容器。

陶瓷电容器在额定电容上有一个容差、但是除此之外、还列出了由温度特性引起的电容变化(%)。
在考虑容差和温度特性引起的电容变化后、认为电容变化必须保持在20%以内是否正确？
还是只有容差才足够？

此致、
还可以