[参考译文] TMS570LC4357：关于通过 EMIF 扩展闪存和 SDRAM 的问题

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器件型号：TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件： HALCOGEN

大家好、

我的客户对 TMS570LC4357 EMIF 扩展有两个问题：

对于外部 NOR 闪存、在初始化期间、我根据 TRM 的要求配置了 CEnCFG 寄存器后、我应该如何读取、写入和擦除闪存？是通过 F021 API 操作、例如内部闪存、还是直接通过地址进行读写？是否有任何可以参考的相关例行程序？

2.对于外部 SDRAM、在根据 TRM 21.2.5.5章节"SDRAM 配置过程"中给出的过程 A 或过程 B 配置后、是否可以对其进行读写？是否可以直接通过物理地址进行操作？

谢谢、此致

耶鲁

0 admin 2 年多前

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你好，耶鲁，

Unknown 说：
我该如何读取、写入和擦除闪存？是通过 F021 API 操作、例如内部闪存、还是直接通过地址进行读写？是否有任何可以参考的相关例程？

访问外部 NOR 闪存无需 F021 API。您可以通过读写该地址进行直接访问。

您可以引用以下线程一次、其具有用于 NOR 闪存的示例演示代码

Unknown 说：
2. 对于外部 SDRAM、在我根据 TRM 中21.2.5.5章 SDRAM 配置过程中给出的过程 A 或过程 B 配置它后、是否可以对其进行读取和写入？是否可以通过物理地址直接操作？

是的、您可以在完成配置后直接访问。 HALCoGen 中有一个 SDRAM 实现示例项目、您可以在实现之前参考一次。

谢谢。此致、
Jagadish。

0 admin 2 年多前

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谢谢、 Jagadish。

另一个问题：

当通过地址直接访问片外 NOR 闪存时、是否需要在每次写入前执行一个擦除操作、就像普通的存储器读取和写入操作一样？

谢谢、此致

耶鲁

0 admin 2 年多前

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你好，耶鲁，

Unknown 说：
在通过地址直接访问片外 NOR 闪存时，是否需要在每次写入之前执行擦除操作，就像普通的内存读取和写入操作一样？

通常、NOR 闪存分为多个扇区、每个扇区都包含特定页数。每个页都由特定数量的字节组成。在将新数据写入扇区之前、必须擦除整个扇区。这是因为 NOR 闪存只能通过将一个位设置为0来设定、但是如果将一个位设置为0至1、整个扇区必须首先被擦除。

谢谢。此致、
Jagadish。

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