[参考译文] TMS570LC4357：晶体负载 为什么是33pF

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1208020/tms570lc4357-crystal-loading-why-33pf

所有、

我们已经测试了一些基于 Hercules 4357构建的定制电路板。  

我们缩减了我们的板非常非常小,以适应它的很多硬件。

我们一直在将 HET 引擎功能用于某些"关键计时功能"、我们与实际处理器并行运行...(即 HET 按预期独立运行)

我们采用16.00000MHz 晶体、这主要是因为 LaunchPad 使用16MHz、并且该部件的最大频率为20MHz ...所以、我们不想让它运行到最大频率。

我们根据 晶体数据表...设置了晶振两端的负载电容

我们可以运行代码...加载/等...基本的"典型 C 代码"运行正常...

我们一直在运行 HET 引擎、我们看到 TMS570LC4357 Launchpad 上的"计数"与定制板上的"计数"存在差异...我们所寻找的"计数"存在非常微小的差异。

Q: 我看了一下 Launchpad 上的晶体标记...ECS D 160… 在 launchpad 上找不到 BOM。。。知道这是一个 ECS 16MHz 晶体、从我可以看到、该晶体的数据表中标明了 Cload 的20pF。。。。为什么启动时负载电容为33pF？。。。是否在测试的某个点上选择了这个吗？。。 。

我问的原因 我们将定制电路板上的负载电容更改为高于制造商数据表的值...并排除 HET 测试错误

我意识到负载电容会略微改变谐振频率...(较高 CL、较低 FR...)

我只是在寻找一个"技术原因"的选择启动 Cload ,如果有一个..

我将在我们的板上做一些频谱分析者调查。。

只是讨厌不得不依赖于"那修正它...把它运送"..而不是有一些科学数据

又是… 我很感激这个发布论坛和与会者.. 你已经帮了我很多。。