[参考译文] TMS570LC4357-EP：TMS5704357和 TMS5701224CpGEQQ1的原理图审阅

admin

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器件型号：TMS570LC4357-EP

要求基于 TMS5704357BGWTEP 和 TMS5701224CpGEQQ1对电路板设计进行电路图审查。

主要用于 EMIF 并行总线连接了外部闪存和外部 SRAM。 "以太网和时钟"部分。

此致、

Amit

0 admin 2 年多前

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0 admin 2 年多前

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Amit、您好！

这是 TI HDK 原理图。

0 admin 2 年多前

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您好、完整的原理图与 TI HDK 不同。

TI HDK 使用 SDRAM、我们在 EMIF 总线上连接了外部闪存、SRAM 和 FPGA。主要需要审查这一部分。

根据参考手册、还有使用 A0和 A1行16位或8位寻址的限制。因此、请查看 EMIF 部分。

0 admin 2 年多前

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所有连接到 EMIF 的存储器(外部闪存、SRAM 和 FPGA)都是异步存储器。

EMIF 地址引脚 EMIF_A[0]始终提供32位字地址的最低有效位。因此、当连接到16位异步器件时、EMIF_BA[1]引脚提供半字或字节地址的最低有效位。

EMIF BA[1]应连接至内存芯片的 A0。

0 admin 2 年多前

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更改注释。

请查看原理图部分以太网 PHY 和磁体。这里使用的 PHY 器件是 TI 器件 DP83848EP。

0 admin 2 年多前

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Amit、您好！

我不太熟悉 DP83848EP。 µF±、Ω 在 PHYTER TD±和 RD 引脚附近放置49.9k Ω、1%电阻器和0.1 μ F 去耦电容器。

磁性元件对 PHY 性能具有很大的影响。您可以请 DP83848专家复查 PHY 周围的电路并获得磁性元件的建议。

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)