您好,
测试电机驱动板的硬件。
使用关断模式测量81uA 的电流、关断模式的理论功耗为50nA、表示外设硬件消耗约为81uA。
使用待机0模式时测得的电流为102uA、指示待机0模式为21uA、这不声明理论功耗。
使用待机1模式时测得的电流也为102uA、这表示待机1模式也为21uA、远高于1.5uA 的理论值。
这样做的原因可能是什么? 芯片可能是旧版本的旧版本。 芯片测量是2022年12月之前获得的样本。
感谢 advace
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您好,
测试电机驱动板的硬件。
使用关断模式测量81uA 的电流、关断模式的理论功耗为50nA、表示外设硬件消耗约为81uA。
使用待机0模式时测得的电流为102uA、指示待机0模式为21uA、这不声明理论功耗。
使用待机1模式时测得的电流也为102uA、这表示待机1模式也为21uA、远高于1.5uA 的理论值。
这样做的原因可能是什么? 芯片可能是旧版本的旧版本。 芯片测量是2022年12月之前获得的样本。
感谢 advace
嗨、现金,
今天准备了一个仅具有 MCU 系统的电路板、并在使用 SYSOSC 作为 MCLK 时钟源时测试了 STANDBY1模式下1.1uA 的睡眠电流。 该电流符合预期。
这个回复中提到的测试基于所有 IO 端口被配置为输出低电平、其中包括 SWD 接口的引脚。
现在发现了一个新问题。 在使用 SYSPLL 作为 MCLK 的时钟源后、STANDBY1模式下的睡眠电流为48uA、预计低于2uA。
时钟配置代码如下:
静态 const DL_SYSCTL_SYSPLLConfig gSYSPLLConfigSYSOSC ={
.inputFreq = DL_SYSCTL_SYSPLL_INPUT_FREQ_16_32_MHz、
.rDivClk2x = 1、
.rDivClk1 = 0、
.rDivClk0 = 0、
.enableCLK2x = DL_SYSCTL_SYSPLL_CLK2X_ENABLE、
.enableCLK1 = DL_SYSCTL_SYSPLL_CLK0_DISABLE、
.enableCLK0 = DL_SYSCTL_SYSPLL_CLK0_DISABLE、
.sysPLLMCLK = DL_SYSCTL_SYSPLL_MCLK_CLK2X、
.sysPLLRef = DL_SYSCTL_SYSPLL_REF_SYSOSC、
.qDiv = 4、
.pDiv = DL_SYSCTL_SYSPLL_PDIV_2、
};
DL_SYSCTL_setSYSOSCFreq (DL_SYSCTL_SYSOSC_FREQ_BASE);
DL_SYSCTL_configSYSPLL ((DL_SYSCTL_SYSPLLConfig *)&gSYSPLLConfigSYSOSC);
DL_SYSCTL_setMCLKSource (SYSOSC、HSCLK、DL_SYSCTL_HSCLK_SOURCE_SYSPLL);
DL_SYSCTL_setMCLKDivider (DL_SYSCTL_MCLK_DIVIDER_DISABLE);
DL_SYSCTL_setULPCLKDivider (DL_SYSCTL_ULPCLK_DIV_2);
DL_SYSCTL_setPowerPolicySTANDBY1 ();
DL_SYSCTL_setBORThreshold (DL_SYSCTL_BOR_THR_THR_LEVEL_0);
DL_SYSCTL_setFlashWaitState (DL_SYSCTL_FLASH_WAIT_STATE_2);
此致、
杰森