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器件型号：TMS570LC4357 主题中讨论的其他器件：HALCOGEN
我使用的是使用 EMIF ASYNC1的外部异步 NOR 闪存(MT28EW 1Gb)。 我有一个测试脚本、该脚本尝试向每个地址写入一种模式、并读回该模式以进行比较。 可以成功写入分配的 22位地址空间中的所有地址和从这些地址读取地址。 我希望使用 GIO 访问存储器的较高区域、以使其余地址行生效。 从较高的地址空间读取时、我看到了奇怪的行为。 我继续写入除大于0x7FFFFF 的任何地址以外的所有地址、其中 A1 (EMIF_ADDR0)应为高电平、读回0xFFFF (未写入)但无法进行比较。 该上部区域中的所有其他地址都正确回读。
此部件的 Micron 设备驱动程序在写入这些问题地址时不会产生任何故障、尽管我不完全相信这一点。 这是我们的闪存器件原理图。 我无法探测总线。
我的读写逻辑如下：
#define MASK_ADDR (addr) (addr 和0x7FFFFF)
#define check_a23 (addr) (addr &(1 <<23))
#define check_a24 (addr) (addr &(1 << 24))
#define check_a25 (addr) (addr &(1 <<25))
uint16_t FlashRad_AddrSpace ( uint32_t udAddrOff )
{
if ( check_a23 (udAddrOff ))
SET_EMIF_ADDR (EMIF_A23)；
if ( check_a24(udAddrOff ))
SET_EMIF_ADDR (EMIF_A24)；
if ( check_a25(udAddrOff ))
SET_EMIF_ADDR (EMIF_A25)；
uint16_t ucVal = base_ADDR[MASK_ADDR (udAddrOff)]；
CLEAR_EMIF_ADDR (EMIF_A23)；
CLEAR_EMIF_ADDR (EMIF_A24)；
CLEAR_EMIF_ADDR (EMIF_A25)；
返回 ucVal；
}/* EndFunction FlashRead */
void FlashWrite_AddrSpace (uint32_t udAddrOff、uint16_t ucVal)
{
if ( check_a23 (udAddrOff ))
SET_EMIF_ADDR (EMIF_A23)；
if ( check_a24(udAddrOff ))
SET_EMIF_ADDR (EMIF_A24)；
if ( check_a25(udAddrOff ))
SET_EMIF_ADDR (EMIF_A25)；
/*将 ucVal 写入闪存中的字偏移量*/
Base_ADDR[MASK_ADDR (udAddrOff)]= ucVal；
CLEAR_EMIF_ADDR (EMIF_A23)；
CLEAR_EMIF_ADDR (EMIF_A24)；
CLEAR_EMIF_ADDR (EMIF_A25)；
｝
将 GIO 用于额外地址引脚的逻辑中是否正确？ 屏蔽地址以清除位[31-23]并使用 GIO 手动设置这些位、其行为应该与从较低地址正确读取时的行为相同？ 我不理解 A1在这种情况下的行为。
