请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TMS570LS3137 主题中讨论的其他器件： TMS5700332、 UNIFLASH
您好！
我们有一个使用 TMS570LS3137和 TMS5700332的系统。 对于这两种情况、我们都启用了 ECC、并由链接器计算(将是输出 Intel hex 文件的一部分)。 我们为以前的系统使用了类似的配置、没有问题。 我们将使用 TI 编译器工具链 v20.2.1 LTS。
对于此系统、在使用 Code Composer 或 Uniflash (通过 CLI)刷写 TMS570LS3137时、我们一直会遇到间歇性错误。 在另一个处理器上不会出现错误。 在 Code Composer 上、错误如下所示：
根据错误中的地址、很明显错误 位于存储器的 ECC 段。
在调试错误时、我们尝试更改 VFILL 以填充闪存各个部分的链接器文件。 我们注意到在使用 fill 时没有发生错误。 填充的使用不太 方便、因为这会导致十六进制文件大得多、闪存会更耗时。 我们比较了使用 VFILL 生成的十六进制文件并填充、注意到 计算出的 ECC 存在差异、我认为这是不正确的。
这是 存储器特定部分的 ECC 代码屏幕截图(注意、该屏幕截图针对的是与用于获取 CCS 屏幕截图的二进制代码不同的二进制代码)：
以下是该 ECC 的闪存数据的屏幕截图：
在数据方面、似乎当使用 VFILL 零时用于空存储器。 使用 fill 时、我们会使用 FF。 这似乎不是产生 ECC 差异的原因、因为其他 ECC 代码确实匹配。
什么可能导致使用 Fill 与 VFILL 计算出的 ECC 存在差异？
我们不能共享我们的 源代码、因为它是我们客户的财产。 我们尝试了设置简化的代码库、但无法重现错误。
谢谢。
何塞·洛佩斯
