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[参考译文] TMS570LC4357:EEPROM 和闪存单元磨损

Guru**** 2445440 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1252824/tms570lc4357-eeprom-and-flash-memory-cell-wear

器件型号:TMS570LC4357

您好!

如果 EEPROM 和闪存单元磨损、会发生什么情况?

如果即使是1个单元磨损、整个 EEPROM 和闪存是否不再存在?

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Emre:

    如果主闪存中的一个存储单元磨损:

    如上段所述、CPU 将在 MAIN 闪存中进行推测取数据、如果它识别任何损坏的内存数据或电池磨损、那么它将根据可校正或不可校正的错误生成 ESM 错误。

    如果要在此情况下对器件重新编程、则程序下载在验证阶段将失败。

    如果 EEPROM 内存中的一个内存单元磨损:

    由于推测取指令不会由闪存组7中的 CPU 发生、所以磨损单元将不会生成任何 ESM 错误、直到 CPU 读取相应的单元。

    一旦 CPU 读取磨损单元中的数据、则将执行 ECC 验证、并且根据可纠正 或不可纠正的错误、将设置相应的 ESM 标志。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。