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器件型号：TMS570LS1224 如果分别实现了闪存(组0)示例和 EEPROM (组7)示例、则擦除/写入/读取工作正常。
但是、如果您同时使用这两个示例、您将进入 undefEntry、如下所示。
[源码(174行)]
[调试模式-出现 undefEntry (55行)]
查看论坛上发布的问题和答案、我发现可以通过修改以下代码来删除并重写 BANK0。
我还了解到、BANK7可在不进行修改的情况下进行擦除和使用。
如果是、欢迎就如何一起使用 BANK0和7提供任何建议。 我准备的程序需要这两者。
1.编辑 sys_link.cmd
2. 在下面的 sys_core.asm 中添加_copyAPI2RAM_代码或使用 sys_main.c 中的 memcpy 将 BANK0的 API_FLASH 区域复制到 SRAM 区域(任意一种方式)
[ sys_core.asm、sys_startup.c ]
[ sys_main.c ]
3.添加管理员模式
3. 在下面上传修改后的代码。 如果您能告诉我如何避免落入 undefEntry、我将不胜感激。
