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器件型号：TMS570LS3137 对于 TMS570LS3137处理器、是否可以在运行时写入闪存？ 我认为它在"Flash API"中可用、但我无法找到使用方法和方法。
对于 TMS570LS3137处理器、是否可以在运行时写入闪存？ 我认为它在"Flash API"中可用、但我无法找到使用方法和方法。
尊敬的 Ktmn：
当我编辑您的闪存示例时,它可以对 Bank1和 Bank7正常工作,但当我尝试写入 Bank0时,它没有显示在"Fapi_setActiveFlashBank(Fapi_BankFlash0)"函数中,它不会继续。
这是预期行为：
请参阅以上 FAPI 参考指南中突出显示的行。 "F021闪存 API 库无法与活动存储体从同一存储体中执行
使 API 命令在"上操作"。
这意味着如果 FAPI 库存储在闪存组0中、那么您不应该在组0上执行 FAPI 命令。
(+) F021闪存 API 库-(Hercules)能否对同一组中的一个扇区进行编程？ -基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛
如果您确实要执行此操作、则应将所有闪存 API 从闪存组0复制到 RAM。 一旦将闪存 API 复制到 RAM、则可以擦除和写入闪存组0中的扇区。
为此、请参阅以下主题：
(+) TMS570LC4357：F021 API 将数据从闪存复制到 RAM 时出现问题-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛
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谢谢。此致、
Jagadish。
尊敬的 Ktmn：
据我所知，由于这种模式，ECC 是为给定数据生成的。
是的、这种编程模式将为相应数据生成 ECC、并将 ECC 写入相应的 ECC 段。
但是我怎么能阅读此 ECC 或误解。 如果生成了 ECC、如何查找此 ECC 的地址？
请参阅 TRM 中的 ECC 部分
另请参阅 TRM 中的 FMC 章节、
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谢谢。此致、
Jagadish。