[参考译文] TMS570LS3137：TMS570LS3137-SEP 的位移损坏敏感性

QJ 您好、感谢您的快速回复。

我在粘贴器件型号时一定犯了一个错误...但是的、我的问题与抗辐射器件 TMS570LC4357-SEP 有关。

此致

卢卡

尊敬的 Luca：

附件是 SEL 辐射报告。  https://www.ti.com/lit/an/spna249/spna249.pdf

TID 辐射报告仍在审查中、很快将出版。

您好、QJ：

实际上、我已经下载了 SEL 报告、虽然其中我无法找到任何关于 安全电流限制值的建议(安全意义：低于该值时可能发生闩锁而不可逆地损坏器件的电源电流值)。 这就是这个问题：

-  在闩锁情况下,建议应用的安全电流限制值是多少?

感谢您提供有关 TID 测试报告的提示、我会定期查看网页以了解该报告。

我期待着 贵国专家对 TNID (非电离辐射总剂量、换言之就是位移损伤)问题的答复：

-然而,我们不知道位移损伤的影响是否是令人担忧的。  通常、 我们从未见过 MCU 会列在容易受 DD 影响的已知元件类型中(例如双极、光耦合器等)。 不过、也可以从 专家那里收集到 TI 专家的意见。

此致

卢卡

尊敬的 Luca：

SEL 报告 表明、该器件 在128度条件下具有最大电压电源、在高达48 MeV-cm2/mg 的条件下无 SEL。  

我们没有 TNID 测试报告。

您好、QJ：

事实上、我并不是在要求 TNID 测试报告、而是简单地与 TI 辐射专家核实、 TMS570LC4357-SEP 是否由于其制造过程中使用的特殊技术而容易受到分散损坏降级的影响。

尊敬的 Luca：

我会在收到专家的回复后通知您。