[参考译文] AM2432：Arm Cortex M4上的 SDL ECC

您好、Luis：  

我将搜索该查询。 我会在接下来的几天里提供反馈。

谢谢。此致、
Vishwanath Reddy.

您好、Luis：  

对于延迟回复深表歉意。 我当时正在紧急休假。

1、示例是在连接到聚合器的总共6个 RAM 中测试2个 RAM  SDL_ECC_aggr1。   结构  SDL_ECC_aggrTable 在文件中 sdl_ecc_soc.h 文件包含 SOC 上所有可用聚合器的列表。 此结构还包含哪个 RAM 连接到聚合器的详细信息。 此结构与您在 TRM 中提到的表相对应。 对于无法访问的存储器类型、我们仅通过直接写入 ECC 聚合器来验证获取 ESM 响应的天气情况。  

2.示例展示了很少的 RAM ID 来展示如何注入和检测错误。 同样的功能可以扩展到连接到它的其他 RAMID。

3.  SDL_ECC_init  API 将初始化所需聚合器和配置的 RAM 所需的中断(SEC/DED/Parity)
的。  SDL_ECC_initMemory  将对配置的 RAM ID 的数据执行读写回操作。

4.您的理解是正确的。  

是的、这对于互连类型存储器上的两个 ECC 包装程序都是一样的。

6、未来几天我会详细介绍这一点。

谢谢。此致、
Vishwanath Reddy.

谢谢 Vishwanath (我希望一切都好在你身边)
团队将评估您的答案、并查看是否需要更多信息

团队提出的其他问题：

7.关于问题6的温柔提醒。

8.我们的目标是对 M4内核执行 RAM 测试(数据 RAM 和指令 RAM)。 要对其进行测试、我们需要选择 memtype 作为 MCU_M4FSS0 (SDL_MCU_M4FSS0_BLAZAR_ECCAGGR)、并且需要在以下区域执行测试

• ECC 包装程序、即 BLAZAR_IIRAM_ECC (地址范围0x00000000-0x0002FFFF)& BLAZAR_IDRAM_ECC (地址范围0x00030000-0x0003FFFF)
• EDC 互连(即) BLAZAR_IIRAM_EDC _CTRL_0 和 BLAZAR_IDRAM_EDC _CTRL_0

是这样吗？ 请确认这一点。

9.根据 TI 之前的回复"对于无法访问的存储器类型、我们仅在直接写入 ECC 聚合器以获得 ESM 响应的天气进行验证"、我们无法执行  SDL_ECC_注射错误  到无法访问的存储器(即 ECC 包装器(BLAZAR_IIRAM_ECC 和 BLAZAR_IDRAM_ECC)上)以上 。 –请确认这一点。

1. 1. 如果"是"、在产品运行时是否有任何方法向此 RAM 区域注入错误、并验证 ECC 错误检测功能是否按预期运行。
   2. 如果是、这是使用 SDL_ECC_initMemory API 测试该 RAM 区域或 ECC 包装器以初始化存储器的唯一过程。 然后执行读取和写入操作、等待检测到任何错误时的 ESM 响应。  –请确认这一点。

Luis，

感谢您的耐心。  

7：

校验器类型：
该操作可从以下任何值中获取：

感谢回复  Vishwanath ,我们有一个很好的理解的时间。 我们将自行进行测试、 如果有任何后续问题、我们会重新提出。