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[参考译文] TMS570LC4357：TMS570LC4357上的预取错误

admin
Guru**** 2389570 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1294083/tms570lc4357-prefetch-error-on-tms570lc4357

器件型号：TMS570LC4357

您好、我在使用 TMS570LC4357芯片时遇到了问题：
我们项目的背景是、TMS570LC4357通过 EMIF 总线连接到 FPGA、而 FPGA 连接到外部 SRAM。 TMS570LC4357通过 EMIF 总线操作 SRAM 以进行读取和写入。 现在已成功通过 TMS570LC4357操作 SRAM 的读取和写入函数。

现在、我想实现从 TMS570LC4357的片上闪存跳转到 SRAM 中运行的功能、但会始终发生预取中断错误。 关闭 MPU 后、再次出现 UNDEF 中断错误。

我们的具体操作程序如下：
我编写了一个照明函数、使 LED 灯闪烁。 该函数被称为 FLASHTORAM。 然后编译整个项目、生成一个十六进制文件、并使用内存浏览器工具在十六进制文件中查找 FLASHTORAM 函数的所有内容。 然后、通过 EMIF 的 CS2芯片选择将此内容写入 SRAM。 写入地址为0x6000 0000。 最后、使用函数指针指向0x6000 0000。 您希望程序跳转到该地址并运行以实现 SRAM 中的照明效果。 停止。
跳转函数为：
空跳线地址(UINT32地址)
{
UINT32传输地址= 0；
TransferAddress =地址；
((void(*)(void))TransferAddress)()；
｝

但每次运行跳转时、都会发生预取中断错误。 通过查看 cp15_instruction_fault_addrss 寄存器、我们发现错误地址为0x6000 0000。 我现在应该做些什么并解决问题？

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    这是我们的 cmd 文件、它配置正确吗？ 需要进行哪些更改？ 使用 CS2片选地址、0x6000 0000、长度为0x0300 0000

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    尊敬的胡江博：

    我已开始处理您的问题、并将尽快提供更新。

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    尊敬的胡江博：

    很抱歉耽误了时间、

    您能否验证以下常见问题解答：

    (+)[常见问题解答] TMS570LC4357：在 TMS570LC4357上执行内部 RAM 中函数的分步过程-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

    此外、如果我的 MPU 设置不正确、我最终会获得预取中止、因此您能否根据该情况进行验证和矫正。

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    如果我使用片载 RAM 来运行代码、我已经成功地进行了实验。 我按照上面链接中的方法进行了操作。
    现在、我们要在外部 SRAM 中运行程序。 这还没有取得成功。 请提供帮助。
    (TMS570LC4357通过 EMIF 从外部连接到 FPGA、而 FPGA 从外部连接到 SRAM)
    现在通过 TMS570LC4357读取和写入 SRAM 已不存在问题、但如果 PC 指针指向 SRAM 的映射地址、则会发生异常错误。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    尊敬的 HU Jiangbo,

    (+) TMS570LS3137 HDK -通过 EMIF 将软件运行到 SDRAM 中-在第一个指令时卡在 prefetchEntry 状态-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

    (+)从 TMDS570LS31HDK 上的外部 SDRAM 运行时程序执行失败-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

    在上面的两个线程中、由于 MPU 设置不正确、客户最终会在从外部存储器执行代码时执行预取中止。您能验证它们并确保没有出现任何此类错误吗？

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    谢谢！

    我将根据您所说的方法进行尝试。

    顺便说一下、在我的项目中、 MPU 已初始化但未启用。 因此、它 可能不会导致我遇到上述问题。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    您好， Jagadish M ü，

    我已经 试过你说的方法，、但是 还没达到 从外部 SRAM 执行代码的目标。

    我将关于 EMIF 的 MPU 初始化为  "stronglyorded_sharable "类型，将触发预取中止； 然后我将类型更改为"normal_oinc_shared"，并 在跳转到0x60000000 (映射到外部 SRAM 第一个地址的 EMIF CS2空间的第一个地址)后触发数据条目中止 。 我已经启用了 MPU。

    我想可能跟 FPGA 有关、570LC 通过 FPGA 来控制 SRAM 如下图：

    然后我将描述我的实验结果：

    (1)我写 blinky-LED ("FLASHTOSRAM"函数在 Test_Main Project.c 中)代码(0xE92D4038、0xE3A04000、0xE3540014、0xAA00000F)-
    至 SRAM、然后我确认操作成功、如以下图片所示：

     

    (__LW_AT__2 μ s）运行跳转至0x60000000的代码时、触发了数据完整性中止、如以下图片所示：

    您能帮我检查代码-项目？非常感谢。 顺便说一句， "RTI"问题并不迫切，可以在以后解决。 您能先解决这个问题吗？

    我的主题如下:

    主要是  Test_Main c 中的68到70行代码。

    e2e.ti.com/.../Test_5F00_TMS570LC_5F00_OS1129_5F00_JumpToSram.rar

    谢谢、此致

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    尊敬的胡江博：

    很抱歉耽误了时间、我想请 QJ 帮忙解决这个问题。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    Unknown 说：
    我将关于 EMIF 的 MPU 初始化为  "stronglyorded_sharable"类型，将触发预取中止； 

    无法从具有器件或严格排序存储器类型属性的区域执行指令。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    Unknown 说：
    （2）当我运行跳转至0x60000000的代码时，触发了数据加密中止，如以下 pictre：

    数据中止的统计寄存器 CP15 DFSR 和 CP15 DFAR 的值是什么？ 您可以在 CCS 寄存器窗口中找到它们。

    Unknown 说：
    我认为它可能与 FPGA 有关,570LC 通过 FPGA[/报价]控制 SRAM

    什么是 SRAM 未直接连接到 EMIF？ FPGA 的作用是什么？

    TMS570器件上的 EMIF 未进行性能优化。 数据和指令提取的数据传输时间将比内部闪存/SRAM 慢得多。 由于具有此性能、我不建议从 EMIF 执行代码。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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      我的应用代码大小将达到比 TMS570内部闪存大16MB。   因此、应用代码将存储在外部 SRAM，中、此操作主要由 FPGA 完成。  

      外部 SRAM 直接连接到 FGPA、TMS570 通过 EMIF CS2连接到 FPGA、FPGA 设计了一个 SRAM 模块、支持 TMS570通过 EMIF 读取和写入外部 SRAM。

      在 TMS570启动后、PC 指针将跳转到外部 SRAM 以执行存储在外部 SRAM 上的程序。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    您只对4个字进行代码复制到 EMIF SRAM。 这4个词有什么作用？

    你能否将 while 循环代码复制到 EMIF SRAM、并检查是否出现同样的错误？

    数据中止的统计寄存器 CP15 DFSR 和 CP15 DFAR 的值是什么？ 您可以在 CCS 寄存器窗口中找到它们。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    0xE92D4038 --》STM 将寄存器 R3、R4、R5、R10中的数据写入 R2中定义的地址

    您可以在跳转到该地址之前检查这些 MCU 寄存器的值吗？

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    尊敬的 QJ Wang：

    为延迟道歉！

    我今天进行了一个实验,我发现代码不再进入数据条目，但总是进入预取条目。 实施条件如下：

    1) 1)将 EMIF clk 设置为50MHz 和37.5MHz (之前、它是75MHz)； 2)将 EMIF CS2空间设置为"normal_OIWBWA_shared"类型和"PRIV_RW_USER_RW_EXEC"权限由 config MPU 调用 init 并启用 MPU 函数，并调用_cacheEnable_()；也调用函数；  3)将28个字(LED 闪烁20次的代码)写入 SRAM，然后跳转到它。

    实现结果如下：

    1)跳转到 0x6000 0000之前 MCU 寄存器的值、如下图所示：

    2)代码一旦 我执行跳转操作就跳转到预取指令。 我已经进行了多次测试、结果是相同的。    如下图所示、CP15 DFSR/DFAR 和 IFSR 15 DFSR/DFAR 的值：

      IFAR = 0x5FFFEDD0，且该地址没有代码。

    3) TMS570的内存映射  如下图所示：

    地址0x5FFFEDD0保留。

    我想这是我的设计（SRAM 未直接连接到 TMS570） 理论上合理？

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    TI__Guru**** 2389570 points
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     执行跳转后 MCU 寄存器的值 如下图所示：

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    这是 MPU 的配置文件：

    e2e.ti.com/.../hcg_5F00_file_5F00_Test_5F00_TMS570LC_5F00_OS.rar

    请检查一下,谢谢!

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    我 在"Disassembly" 窗口中逐步调试，我发现它可以输入到地址0x6000 0000、但是当导出到地址0x6000 0020时、中止将由 excute "EBFFFB1A  BL  #0x5fff ec90"代码触发。

    我找到原因,并发现代码需要调用"gioSetBit"函数,如下图所示:

    为什么"BL   gioSetBit"更改为"BL  #0x5fff ec90"？

    到外部 SRAM 的源代码如下：

    空 FLASHTOSRAM()

    {
      INT I = 0；
      // uint32 recv = 0；

      for (I = 0；I < 20；I++)

      {
       gioSetBit (hetPORT1、11、1)；
       // Emif_Wr (0x000A0000,0x0011)；
       delay_ms (500)；
       gioSetBit (hetPORT1、11、0)；
       // recv = Emif_Rd (0x000A0000);
       delay_ms (500)；
      ｝
    ｝

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    我是否还需要将"gioSetBit"和"delay_ms"的函数代码移动到 SRAM？

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    将生成代码以在闪存中运行、如果是相对于 PC 的地址、则为分支地址。 如果将汇编代码直接复制到 SRAM、则根据 PC 值计算分支地址。 例如  

    EBFFFB1A  BL  #0x5fff ec90"代码。

    PC = 0x60000020 + 0x8 (提前2个字节)

    此指令的操作码为 BL

    0xFFFB1A 是有符号的二进制补码24位偏移(负数) 600

    1.二进制补码：0x0004E5+1 = 0x0004E6

    2.向左移位2位：0x0004E6<< 2 = 0x1398

    3.分支地址= 0x60000028 - 0x1398 = 0x5FFFEC90

    此地址是无效地址、因此您将获得中止。

    您不应将代码从闪存直接复制到 SRAM。 它会破坏所有分支地址。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    尊敬的 QJ Wang：

    为延迟道歉！

    那么，我应该怎么做才能实现我的目标？
    我的想法是：
    1）创建 圆形 LED 照明工程1、然后生成 用于 写入外部 SRAM 的 hex 文件；
    2）创建 用于将 hex 文件中的 led 照明代码写入外部 SRAM 的 project2；
    3) 3) 将所有代码写入 SRAM 后、创建用于跳转到外部 SRAM 的 project3；
    但我也认为有一个问题与这个想法，请建议，谢谢！
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    尊敬的 Jiangbo:

    正如我说过的、TMS570上的 EMIF 未进行性能优化。 从 EMIF 存储器中提取指令要比从内部闪存/SRAM 中提取指令慢得多。 TMS570LC43x 具有4MB 内部闪存和512KB 内部 SRAM。 这些内部存储器对于大多数应用来说已经足够大了。 因此我不建议从 EMIF 存储器运行代码。

    1.工程2和工程3存储在内部闪存中、并从内部 SRAM 执行

    Project1存储在内部闪存中、但从外部 SRAM (EMIF)执行

    您需要修改 project1的链接器 cmd 文件、该文件将从外部 SRAM 执行。

    请参阅 https://software-dl.ti.com/ccs/esd/documents/sdto_cgt_Linker-Command-File-Primer.html 中 LOAD_START、RUN_START 的用法。

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    Kelvin Tse 说：
    1. 二进制补码：0x0004E5+1 = 0x0004E6

    数据 0x0004E5是如何获得的？

    我无法理解这个步骤，感谢您的帮助！

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    Unknown 说：
    数据 0x0004E5是如何获得的？

    反汇编代码 EBFFFB1A 的前24位的恢复值: 0xFFFB1A。 NOT (0xFFFBIA)= 0x0004E5

    0xFFFBIA 的二进制补码：NOT (0xFFFBIA)+ 1 = 0x0004E6

    BL 指令的地址偏移量：0x4e6的2位左移

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    TI__Guru**** 2389570 points
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    条件字段：0xE --> always