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在刷写代码并按复位按钮之后、从外部闪存进行引导的时间间隔。
您好!
ROM 代码在热复位或冷复位后执行、然后启动 SBL、再从外部闪存执行应用(如果设置了 QSPI 引导模式)。 如果您有任何进一步的问题、请告诉我。
谢谢。此致、
萨哈纳
这将帮助您了解 Sitara MCU+器件中的引导流程- dev.ti.com/.../node
我在前面已经提到过、但问题是、在复位后、代码未加载到我的 Launchpad 中。
在我的 am263x Launchpad 中、按下复位按钮后、代码无法启动。 如何解决它。
您好!
如果您已通过 UART 引导模式或开发引导模式刷写到闪存中、则需要将引导模式更改为 QSPI 以从该介质进行引导。
我希望这对您有所帮助。
此致、
Aakash