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您好!
我目前正尝试使用 SWD 亲自为此 IC 编程。
并且可参考"MSPM0 G 系列80MHz 微控制器技术参考手册"中第6章 NVM (闪存)的说明完成此过程。
目前、可以正常读取 READID、没有任何问题、但编程和擦除似乎有点异常。
每次我擦除 IC 并读取以确认 IC 为空白时、我都会发现闪存地址0x1E91每次读取0xFB、但在擦除之后、闪存应该为0xFF、对吧?
其他几个地址也是如此。 由于 IC 中的闪存很大、我没有逐一找到它们。
编程情况更加明显。 右侧是 IC 读取的内容、左侧是所编程文件的内容。
随机地址可能存在1位的差异。

您能帮助我分析我遇到的问题吗? 谢谢!


