[参考译文] TMS570LS3137：我想在不使用 F021应用手册的情况下开发引导加载程序固件。

尊敬的 Furkan：

您可以查看我最近的帖子：

(+) TMS570LS3137：闪存擦除或编程-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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谢谢。此致、
Jagadish。

你好 Jagadish ,我已经阅读这篇文章。 可以、但它对我没有帮助、因为我想问、在没有任何内置库的情况下、如何写入数据和地址寄存器？ 通过 F021应用、我们可以访问这些寄存器、但当我尝试自行访问时、现在无法访问。

尊敬的 Furkan：

没有用于闪存寄存器写入过程的特殊文档、我们只需要遵循 TRM。

您能否提供您的代码片段并向我解释您正面临屏幕截图问题的位置、然后我可以在这方面为您提供帮助。

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谢谢。此致、
Jagadish。

我尝试了类似的代码部分。 我访问了闪存、但 无法成功地将正确的数据写入闪存。 当我尝试此代码部分时、我想写入用零填充的所有闪存部分。

刚才我在 Fo21闪存库的参考指南链接下面找到、它可能也非常有用：

F021闪存 API 参考指南(v2.01.00)(修订版 H)(TI.com)

我已经分享了我的愿望。 我想在没有 F021的情况下开发我的软件,这就是 ı á s 挣扎这么多的原因。 此 API 对.lib 文件具有如此多的依赖性。 ı F021应用中使用的一些寄存器通常是保留寄存器、因此 μ C 将无法访问这些器件。 没有 F021、您能否使用指南或应用手册？ 我必须将我的软件作为裸机进行开发。

此致

古坎  

尊敬的 Furkan：

实际上、您需要执行以下过程来写入闪存：

Fapi_initializeFlashBanks

Fapi_setActiveFlashBank

Fapi_enableMainBankSectors

在完成上述三个步骤之后、您应该需要执行编程命令 Fapi_issueProgrammingCommand。

但我观察到的是、我没有看到与"Fapi_setActiveFlashBank"相关的代码、并且

"Fapi_enableMainBankSectors" 、您是在初始化或激活闪存之前就开始执行此步骤。

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谢谢。此致、
Jagadish。

您好！

非常感谢。  

古坎