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[参考译文] AM2434:AM243 OSPI PHY、用于八路 ISSI 闪存的调优参数

Guru**** 2425800 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1275964/am2434-am243-ospi-phy-tuning-parameters-for-octal-issi-flash

器件型号:AM2434

大家好、

我们需要使用100MHz 运行八路 DDR 模式。 OSPI 控制器 PHY 调优是通过参考 链路来执行 的。

您能否分享 ISSI 闪存- IS25WX256所需的调优参数 ?

谢谢。

阿克沙伊

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Akshay:

    应用所需的调优参数取决于运行调优算法时的电路板和电流条件。 上述链接指向使用 MX 闪存的示例条件。 即使我向您提供了我通过使用 ISSI 闪存测试平台获得的值、这些值也会与该特定设置相对应、不一定适合您的应用。  

    您当前是否具有要查询的带有 ISSI 闪存的电路板? 如果这样做、则可以按照上述链接中的说明为您获取所需的参数、甚至只需单步执行包含调优环路的闪存 IO 示例、其中获取并设置了 Rx、TX 和 rd 值。

    此致!

    丹尼尔