[参考译文] RM57L843：使用 SL_CRC_Calculate 读取闪存编程区域时、会发生 ESM_G2ERR_CR5_BUSERR。

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1261334/rm57l843-esm_g2err_cr5_buserr-occurs-when-reading-the-flash-program-area-using-sl_crc_calculate

器件型号：RM57L843

大家好、团队成员。

我使用 SL_CRC_Calculate ()实现了闪存程序区域 CRC 检查。

此时、当读取 SL_CRC_Calculate ()中的闪存区域时、会生成 ESM_G2ERR_CR5_BUSERR 信号。

如何才能导致误差信号？

CRC 读取代码

    volatile uint32_t u32FlashStartAddrCmp = _getFlashStartAddr(); /* ulFlashStartAddr on *.cmd */
    volatile uint32_t u32FlashEndAddrCmp =  _getFlashEndAddr();   /* ulFlashEndAddr on *.cmd */

    uint64_t u64CurretFlashCRC = SL_CRC_Calculate((uint64_t *)(u32FlashStartAddrCmp), ((u32FlashEndAddrCmp - u32FlashStartAddrCmp) >> 3u));

    if(s_u64InitFlashCRC == u64CurretFlashCRC)
    {
        bCompFlashCrcRslt = TRUE;
    }

ESM 组2处理代码

    /* CCMR5 BUS error : ESM Group2 CH03 */
    case ESM_G2ERR_CR5_BUSERR:
    /* L2RAMW Uncorrectable error : ESM Group2 CH07 */
    case ESM_G2ERR_L2RAMW_UNCORR_B:
    /* EPC Uncorrectable error : ESM Group2 CH21 */
    case ESM_G2ERR_EPC_UNCORR:
    /* L2FMC Parity error : ESM Group2 CH17 */
    case ESM_G2ERR_L2FMC_PAR_ERR:
        sl_esmREG->SR1[1u] = sl_esmREG->SR1[1u] | GET_ESM_BIT_NUM(u32EsmCbGrp2Error);
        sl_esmREG->SSR2 = GET_ESM_BIT_NUM(u32EsmCbGrp2Error);
        /* Clear nError */
        _SL_HoldNClear_nError();
        /* ESM Fault Detection */
        bEsmGrp2FaultSt = TRUE;
        break;

祝你一切

顺利。基因。

2 年多前