[参考译文] TMS570LS0232：使用 F021闪存 API 擦除和写入闪存数据

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1362103/tms570ls0232-erasing-and-writing-flash-memory-data-with-f021-flash-api

器件型号：TMS570LS0232

大家好！

我需要通过引导加载程序从闪存中删除和添加数据。我正在使用 F021 (2.01.01)闪存 API 代码(Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_Flash))进行尝试、但代码不会每次编译、我遇到一些错误：
1) dabort.asm 中的"将寄存器和链接寄存器压入堆栈"
2-)"检查是否设置了位3、这表示 dabort.asm 中的 B0TCM 上不可纠正的 ECC 错误"
3-) sys_intvecs.asm 中的"prefetchEntry"
我无法编译任何闪存 API 代码、例如删除闪存存储器数据、添加数据或激活闪存组。
如何解决？

感谢你的帮助。

您好

法蒂赫

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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尊敬的 Fatih：

下面链接中有几个仅基于 F021闪存库的 CAN 引导加载程序示例。

SafetyMCU_bootloader«引导加载程序- Hercules_examples/Hercules_examples - Hercules 处理器软件示例(TI.com)

您能不能请参考与 TMS570LS04x 器件相关的示例？

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谢谢。此致、
Jagadish。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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Jagadish、您好！

我查看了 TMS570LS04x 样片并发现我的配置是正确的。
我根据闪存 API 2.01.01参考指南编辑了代码、但仍然出现相同的错误。
我的代码正确、配置看起来正确。我无法理解为什么我会遇到错误。

谢谢。此致、

法蒂赫

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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尊敬的 Fatih：

您能提供一个简单的项目来解决您所面临的问题吗？

我想在结束时验证和调试该项目。

--
谢谢。此致、
Jagadish。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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Jagadish、您好！

很遗憾、我未获得共享项目的授权。

我以前看到过3个错误、但现在我更新了代码、只看到"b prefetchEntry"错误。

我将告诉您我使用的函数；
Fapi_initializeFlashBanks()；
Fapi_setActiveFlashBank()；
Fapi_enableMainBankSectors ();
Fapi_issueProgrammingCommand()；

无论我想要发送多少数据、都只发送8个字节的数据、然后出现"b prefetchEntry"错误。
然后我在代码中添加了"_disable_interrupt_()；"、但结果仍然没有变化。

您能否提供一个将存储在 RAM 中的数据打印到 Bank0的简单示例？

谢谢。此致、

法蒂赫

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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我有 CP15的指令故障地址和指令故障状态。但我不知道在哪里使用它们。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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有关问题的更新：
我在 F021闪存 API 2.01.01版参考指南中遇到了以下文章；
"注意：F021闪存 API 库不能从与为 API 命令操作所选择的活动闪存存储体相同的存储体中执行。在单组器件上、F021闪存 API 必须从 RAM 执行。"
我正在尝试使用 BANK0中的闪存 API 将 RAM 中存储的数据写入 BANK0。
这是为什么会出现 PrefetchEntry 错误吗？
我见过关于从 RAM 运行闪存 API 的线程、但我不完全理解。那么、您能否与我分享一个有关此主题的示例项目？

谢谢。此致、

法蒂赫

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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尊敬的 Fatih：

Unknown 说：
我正在尝试使用 BANK0中的闪存 API 将 RAM 中存储的数据写入 BANK0。
这可能是我收到 PrefetchEntry 错误的原因吗？

这并不意味着您不应该从 RAM 写入 BANK0。

这意味着：

如果 FAPI 库存储在闪存组0中、则您不应在组0上执行 FAPI 命令。

如果您确实要执行此操作、则应将所有闪存 API 从闪存组0复制到 RAM。一旦将闪存 API 复制到 RAM、则可以擦除和写入闪存组0中的扇区。

请参阅下面的主题、了解更多详细信息：

(+) TMS570LS3137：TMS570LS3137：在运行时编写闪存-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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谢谢。此致、
Jagadish。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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Jagadish、您好！

我通过使用另一个函数解决了我的问题。

谢谢。此致、

法蒂赫

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

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[参考译文] TMS570LS0232：使用 F021闪存 API 擦除和写入闪存数据