请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：RM44L920 主题中讨论的其他器件： RM46L830
工具与软件：
RM44L920和 RM46L830是否 对 晶体参数(如负载电容、驱动电平、精度)有任何要求？ 我在文档中没有找到任何内容。
尊敬的 Yossi：
有关晶振选择、请参阅以下应用手册：
另请参考以下主题、了解晶振电容器的计算：
(3) RM46L852：晶体电容值存在错误或误解-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛
根据它们、晶体的电容值为：
C1 = C2 =(CLOAD–CSTRAY)* 2
CSTRAY 是杂散电容、它是布线长度、PCB 结构和微控制器引脚设计的函数。
CLOAD 是 制造商指定的晶体负载电容。
如果 CLOAD = 18PF 且 CSTRAY 为2PF、则
C1 = C2 =(18PF - 2PF)* 2 = 32PF
以下是我们在您的 Launchpad 原理图上使用的值：
类似地计算您的电路。
--
谢谢。此致、
Jagadish。
感谢 Jagadish 的快速回复、但我最关心的是驱动级别、AN-100和线程中未提及。 晶振的数据表指定了 允许的最大驱动电平、单位为[UW]。 我希望 RM44L920和 RM46L830的数据表指定了它们的驱动电平、因此我可以选择允许 IC 提供更高驱动电平的晶体或添加适当的电阻器以防止晶体损坏。 这是我缺少的信息。
其他 TI 组件的数据表提供了此信息。 例如：
数据表第6.9.3.4.7.1节晶体振荡器电气特性(第71页)在以下链接中：
https://www.ti.com/product/TMS320F28377D-Q1/part-details/TMS320F28377DZWTQ
