[参考译文] TCM-AM263X：MCU-PLUS-SDK 启用

尊敬的 Carwyn：

当您将 AM2634连接到调试器并在 CCS 中打开"Memory"浏览器时、您能否查看 MEMORY 区域？ 例如、如果我从 SDK 运行 UART Echo 示例、则存储器浏览器中的 TCM 视图如下：

TCMA 起始地址：0x40、长度= 0x7FC0

TCMB 起始地址：0x80000、长度= 0x8000。

TCM 的启用不会在应用程序中完成。 您可以在"Memory Configurator (内存配置器)"部分->"Memory region (内存区域)"->"Regions"中在您的应用的 example.syscfg 中查看 TCM 配置。

我最好的猜测是您的 OCRAM 已缓存。 因此、无论您执行何种读取/写入操作、都不会从实际 RAM 中进行、而是获取/写入高速缓存存储器的数据。 TCM 是一个单周期存取零等待状态存储器、因此读取写入在理论上应该需要1个 CPU 周期、而 OCRAM 将需要更多的时间。

在 example.syscfg 中的 MPU Config 中、尝试将 OCRAM 区域标记为非缓存、并尝试重新构建示例和基准测试。

此致、

Shaunak

尊敬的 Carwyn：

我想说不是一般性推荐的 配置、而是特定于用例。 这是我过去在一些性能评测活动中使用的方法。

TCMA (TCMA)：

TCMB：

此致、
Shaunak

尊敬的 Carwyn：

将 TCM 标记为缓存或非缓存不会有任何差异。 我想知道您使用 TCM 时得到的存储器存取延迟是多少？ 这是您的用例的问题吗？ TCM 是零等待状态单周期访问存储器、当它被缓存或未缓存时则没有区别。  

在 example.syscfg 中更改区域属性会执行以下操作：

1.将内存区域设置为可缓存、可共享、可缓冲、允许从区域执行代码的权限  

2.这些更改在 ti_dpl_config.c 中完成、该文件是由 syscfg 自动生成的。 启动应用时会调用 MPU init、并根据上述配置设置 MPU 属性(MpuP_armv7r_asm.S)：

3.您可以在 ARM R5F 文档中阅读有关修改的寄存器的信息： developer.arm.com/.../Region-attributes

此致、
Shaunak

尊敬的 Carwyn：

TCM 和高速缓存的访问延迟几乎相同。 此处可能发生的情况是：

场景1：TCM 与 OCRAM 缓存(所有缓存命中)

在本例中、您将获得几乎相似的周期、就像 CPU 必须从高速缓存而不是实际 RAM 中获取的周期一样。 因此、TCM 和 OCRAM 中的 CPU 周期几乎相同。

Sceanrio-2：TCM 与 OCRAM 缓存间的关系(发生某些缓存未命中)

这是我觉得发生在你上面分享的数据. 在缓存命中的情况下、缓存和 TCM 的访问时间相同、当缓存未命中时、CPU 必须从 RAM 获取数据、而 RAM 会增加周期数并发现差异。

场景3：TCM 与 OCRAM (非缓存)  

由于不涉及高速缓存、因此将从 OCRAM 中获取所有数据、因此该场景展示了不涉及高速缓存或任何其他优化的实际原始 OCRAM 延迟。

此致、
Shaunak

尊敬的 Carwyn：

存取缓存存储器和 TCM 所需的 CPU 周期相同。 如果在高速缓存中找不到数据、CPU 会从 OCRAM 中获取这些数据。 TCM 消除了这种情况、并证明是一个优势、因为您手动将数据/功能置于 TCM 中、不会出现"缺失"的情况。

我建议浏览 ARM R5F 文档： https://developer.arm.com/documentation/den0042/a/Tightly-Coupled-Memory/Performance-of-TCM-compared-to-cache

此致、
Shaunak