[参考译文] MSPM0G3507：警告#10092-D：对于&quot；.text&quot；：无法使用 PALIGN 运算符拆分对象、已忽略拆分放置(&gt；&gt；)

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1387181/mspm0g3507-warning-10092-d-split-placement-ignored-for-text-cannot-split-object-with-palign-operator

工具与软件：

尊敬的 Supportteam：

我们正在 MSPM0g3507上使用次级引导加载程序。 我们修改了工程的.cmd 文件、如下所示：

小程序
｛
Flash (RX)：origin = 0x00000000、length = 0x00001000
FLASH2 (RX)：origin = 0x00004000、length = 0x0001C000
SRAM (rwx)：origin = 0x20200000、length = 0x00008000
BCR_CONFIG (R)：origin = 0x41C00000、length = 0x00000080
BSL_CONFIG (R)：origin = 0x41C00100、length = 0x00000080

}

部分中)
｛
.intvecs：> 0x00000000
.text : palign (8){}>> FLASH2.

.const : palign (8){}> FLASH | FLASH2.
.cinit : palign (8){}> FLASH2.
pinit : palign (8){}> FLASH2.
.rodata : palign (8){}> FLASH2.
.arm.exidx：palign (8)｛｝> flash | FLASH2.
.init_array : palign (8){}> flash | FLASH2.
.binit : palign (8){}> flash | FLASH2.
.TI.ramfunc：load = flash、palign (8)、run=sram、table (BINIT)

.vtable :> SRAM
.args :> SRAM.
.data :> SRAM
. bss :> SRAM
.sysmem :> SRAM.
.stack：> SRAM (高电平)

. BCRConfig :{}> BCR_CONFIG
. BSLConfig :{}> BSL_CONFIG
}

这将导致上述警告：  

警告#10092-D：".text"的拆分位置(>>)被忽略：无法使用 PALIGN 运算符拆分对象

并且完整的目标代码始终放置在引导加载程序后面、不可能将前4KB (0x1000)用于.text、因此我们得到：
名称源长度已使用未使用属性填充
--------------- --- --- --- --- ---
闪存00000000 00001000 000003a8 00000c58 R X
FLASH2 00004000 0001c000 00003eb0 00018150 R X

这意味着闪存区域中有3160个未使用的字节。  

我的配置是否有简单的解决方案？

因为我想组合使用两个闪存区域。 尤其是我们在引导加载程序映像之后涉及到 EEPROM 仿真时。
或者、将次级引导加载程序放置在地址0x400上以减少存储器空洞的唯一解决方案是吗？