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器件型号：MSPM0G3507-Q1 工具与软件：
您好、TI 团队
对于一些电阻器、我们需要在 NRST 引脚上使用带有10nF 电容器的7K Ω 上拉电阻器、可以吗？ VDD 为3V3。
上电时、NRST 引脚的上升时间请求是什么？
在数据表中、tRST 典型值为1s、什么`s 最小值？
期待您的回复、TKS
工具与软件：
您好、TI 团队
对于一些电阻器、我们需要在 NRST 引脚上使用带有10nF 电容器的7K Ω 上拉电阻器、可以吗？ VDD 为3V3。
上电时、NRST 引脚的上升时间请求是什么？
在数据表中、tRST 典型值为1s、什么`s 最小值？
期待您的回复、TKS
尊敬的 Sal：
感谢你的评分
您能否分享为什么需要此设置？ 如果可以的话、我会推荐您提高上限。
我们使用复位信号来控制一个同时有内部电阻的 PNP ,最小值为10K 的电阻为7K,最大值为13K。
`s 提高电容、该值建议的值是多少？
在其他情况下、R*C 值应设置什么？
建议小于 VCC 上升时间。
-->例如、如果 VCC 上升时间是1ms、、NRST 上升时间应该超过1ms、对吧？ 或小于1ms？
尊敬的 Devin：
[报价用户 id="608300" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1385393/mspm0g3507-q1-is-ok-to-use7k-ohm-pull-up-resistor-with-10nf-cap-on-nrst-pin/5297500 #5297500"]我们使用复位信号控制 pnp
事实上我无法 对 PNP 晶体管电路进行很好的分析、因此我假设信号控制是可以的。
帽子应设置 R*C 值？
是的、高于47k*10nF 是可以的。 我建议您与它一起使用0.1uf 或更大。
[报价 userid="608300" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1385393/mspm0g3507-q1-is-ok-to-use7k-ohm-pull-up-resistor-with-10nf-cap-on-nrst-pin/5297500 #5297500"] NRST 上升时间应超过1ms、对吧？ 或小于1ms？[/QUOT]超过1ms。
实际上、为获得最大工作范围、用户应确保 NRST 小于 VCC + 0.3V、如数据表所示。
建议在上电期间使 NRST 小于 VCC。
B.R.
SAL