[参考译文] LP-MSPM0L2228：xPSR 寄存器变量&quot；10d&quot；=保留

Jens、您好！

您可以检查触发了哪个中断、NMI、硬故障或其他东西。

您可以在程序中声明这些中断、并设置 while1循环以查看程序将停留在哪个中断中。

B.R.
SAL

由于显示屏是6位数、我猜它实际上是二进制(6位)、即=2 (NMI)。

[编辑：更正了拼写错误]

Jens、您好！

是的、Bruce 回答正确。 似乎是 NMI 中断。

我想您触发了闪存 ECC 错误、这是为了解决 NMI 中断。 您可以仔细检查 NMI 中断源的寄存器。

B.R.
SAL

嗨、Sal、嗨、Bruce、

杨明在问我这个问题。
我知道你是对的。 这就是带有检测到闪存双错(由 ECC 引起)原因的 NMI。
我读出整个闪存、看起来好像没有生成 ECC。 我使用命令 DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated 写入闪存。 根据我正确理解 DL 文档、此命令应自动创建 ECC 字节。 但事实并非如此。 是否必须单独打开 ECC 生成？ SysConfig 中的任何位置？ 我找不到任何东西。

如果生成了 ECC 字节、它将位于哪里？ 由于参考手册指出、使用 ECC 时闪存字大小为64位和72位、因此我假设它直接位于写入的数据后面。
例如
数据-> 0x100 - 0x107
ECC -> 0x108
对吗？

感谢您的支持
Timo

尊敬的 Timo：

不是的、它具有单独的闪存地址。

如果查看数据表中的存储器章节、可以在下面找到：

它将具有单独的闪存地址来存储 ECC 代码。

B.R.

SAL

尊敬的 Sal：

由于闪存 ECC 代码的大小为1kB、因此可覆盖闪存中仅8kB 的区域。 对吧？

我不需要 ECC、但我遇到了问题。 可以全局停用 ECC？

我知道我可以读出偏移量为0x0040.0000的闪存。 但我喜欢使用原始地址从闪存读取、而不使用该偏移。
我以为它可以停用,但我不知道怎么做。 可以帮帮我吗？

我如何决定 ECC 应该涵盖闪存的一部分？ 这对我来说或许是一个解决方案。 我有一个单独的链接器文件、但没有为 ECC 声明任何内容。
另一方面、我在孔闪存上遇到了这个问题。 因此、闪存似乎通常被介绍完了、但无法在所有地方使用 ECC。

尊敬的 Timo：

由于闪存 ECC 代码的大小为1KB、因此可以只覆盖闪存中8kB 的区域。 对吗？

是的、这也是我在看桌子时感到困惑的地方。 我想这可能是个拼写错误、或者有一些新特性我不知道。

如果您查看我们的 MSPM0G 器件、会发现下面显示了合理区域：

如果在这个主题上有任何进展、我可以在这里进行更新。 但我认为这不是你关心的关键问题。

我不需要 ECC、但我遇到了问题。 可以全局禁用 ECC？[/QUOT]

遗憾的是、 此选项启用默认设置、出于安全原因无法禁用。

[报价 userid="613603" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1384458/lp-mspm0l2228-xpsr-register-vaule-10d-reserved/5300996 #5300996"]我知道我可以读出偏移量为0x0040.0000的闪存。 [报价]

是的。  

另一种方法是将闪存 API 函数与 ECC_Generated 一起使用、API 函数可以帮助用户使用数据自动设置正确的 ECC 位。

B.R.

SAL

尊敬的 Sal：

如果查看 MSP0G 器件的表、我会猜测这不是单独的存储器区域、而是更多的偏移量来读取此闪存区域的 ECC 值。 这又提出了一个问题、ECC 值存储在哪里。

我已使用 ECC 命令 DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated。 我假设这将在后台组织所有必要的工作。 但是、无论如何、我遇到了这个问题。 我也尝试了没有 ECC 的版本,但没有改进。

该 API 说明指出不应禁用 ECC 生成。 您说无法停用。 不过、我是否可以检查它是否配置正确？ 顺便说一下、说明和库中也有一些拼写错误。

最后一个问题、我是这样理解的、如果我在 ECC 中使用 API 函数、那么一切都应该按预期工作、应该没有问题出现。 但我的问题可能是什么？ 写入没有问题、调试器可以读取该值。 仅当我在闪存中读取该值时、DED 中断才会上升。 这取决于我写入的值。 例如、0x55为正常状态、0xAA 表示 Error。 MSPM0L 器件是否存在问题？ 我试了两个部分。

非常感谢

尊敬的 Timo：

我尚未在 M0Lx22x 器件中对其进行测试。 因此、我可能需要一些时间才能了解该器件是否有任何新功能、因为该器件具有可能导致推理的双闪存组。

是的、这应该不会有问题。 我可能会在下周用该器件进行试、它也会让我感到困惑。 顺便说一下、您能否在此处分享您的代码供我参考。

是的、实际上、用户没有用于禁用此功能的接口。 至少在 MSPM0G 器件中不是。 我认为这两个器件的闪存 IP 是相同的、或者 TRM 中应该给出一些说明。  

希望这不会让你感到困惑。 我完全同意应该在未来发布版本中更正此拼写错误。

看起来您没有正确加载 ECC。  

我知道、ECC 只能检测到双位错误、如果输入的错误位超过两位、则可以检测到错误、但无法检测到错误。 因此、您写入的变量与0xFF 有四位的差异、这是合理的。 您可以尝试一位差异、例如0xFE、0xFD、并检查是否始终发生 FLASHSED。

B.R.

SAL

尊敬的 Sal：

这是我的测试代码、我得到错误。 地址0x108由链接器擦除、不包含程序代码。 其他地址也会显示错误、但不是所有地址。  只有 dataWrite 的第一个字节很有趣。

您是对的、如果我从1位到0xFF 有差异、它是有效的。 但0x55也具有4位的差异、并且也可以工作。 尽管如此、我同意我的 ECC 可能未正确设置、但为什么呢？

int main (void)
｛
   静态 const uint32_t 地址= 0x108；
   SYSCFG_DL_init ();
   DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS gCmdStatus；
   uint8_t *数据；
   uint8_t dataWrite[8]=｛0xAA、0x00、0xFF、0xFF、0xFF、 0xFF、0xFF、0xFF｝；

   数据=(uint8_t*)地址；
   printf ("ADR：0x%X data：0x%X\n"、address、* data)；
   DL_FlashCTL_unprotectSector (FLASHCTL、ADDRESS、DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN)；
   gCmdStatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated (FLASHCTL、address、(uint32_t*)&dataWrite)；
   uint8_t test =* data；               //此行中会出现错误
   printf ("ADR:0x%X data->0x%X\n"、address、* data)；

   while (1)；

}

void NMI_Handler(){
   while (1)；
}

好的、我发现链接器文件很重要。 我创建一个新项目 来演示我的问题。 是否有可能共享一个空洞项目？

但现在、我在这里加载代码。 为 L2228创建了一个新的空示例、并在 syscfg 中停用链接器文件生成。

我有一个数组在闪存中的指定位置(DATA[10])。 在这个数组中、我想写入。 仅当我写入定义的数组时才会发生错误。 但并非总是、地址0x20000有效、而在下一个地址0x20008处会在我这边发生错误。 写操作符合预期。

我的方法有什么问题吗？

main.c ->

#include "ti_msp_dl_config.h"
#include <stdint.h>
#include <stdio.h>

static const volatile uint8_t data[10] __attribute__((used, section(".my_data")))= {0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF};

int main(void)
{
    static uint32_t address = 0x20000;
    SYSCFG_DL_init();
    DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS gCmdStatus ;
    uint8_t *data;
    uint8_t dataWrite[8] = {0xAA, 0x00, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF, 0xFF};

    while(1){
        data = (uint8_t*)address;
        printf("adr:0x%X data:0x%X\n",address, *data);
        DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, address, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
        gCmdStatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated(FLASHCTL, address, (uint32_t*) &dataWrite);
        uint8_t test = *data;                // in this line the error occurs
        printf("adr:0x%X data->0x%X\n",address, *data);
        address += 0x08;
    }

    while(1);
}

void NMI_Handler(){
    while(1);
}

device_lincer.cmd ->

-uinterruptVectors
--stack_size=256

MEMORY
{
    FLASH           (RX)  : origin = 0x00000000, length = 0x00020000
    DATA	        (RX)  : origin = 0x00020000, length = 0x00020000
    SRAM            (RWX) : origin = 0x20200000, length = 0x00008000
    BCR_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00000, length = 0x000000FF
    BSL_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00100, length = 0x00000080
}

SECTIONS
{
    .intvecs:   > 0x00000000
    .text   : palign(8) {} > FLASH
    .const  : palign(8) {} > FLASH
    .cinit  : palign(8) {} > FLASH
    .pinit  : palign(8) {} > FLASH
    .rodata : palign(8) {} > FLASH
    .ARM.exidx    : palign(8) {} > FLASH
    .init_array   : palign(8) {} > FLASH
    .binit        : palign(8) {} > FLASH
    .TI.ramfunc   : load = FLASH, palign(8), run=SRAM, table(BINIT)

	.my_data	: palign(8) {} > DATA fill = 0xFFFFFFFF

    .vtable :   > SRAM
    .args   :   > SRAM
    .data   :   > SRAM
    .bss    :   > SRAM
    .sysmem :   > SRAM
    .stack  :   > SRAM (HIGH)

    .BCRConfig  : {} > BCR_CONFIG
    .BSLConfig  : {} > BSL_CONFIG
}

更多信息。

我尝试了与上述 MSPM0G3507相同的代码、由于闪存更小、略有修改。 阵列从0x10000开始。 这里没有错误或意外中断。 我还将阵列增加到1000以测试更大的区域。 仍然按预期工作。

这就迫使人们不禁要问 MSPM0L 有什么问题？

尊敬的 Timo：

是的、您可以将其打包到.zip 文件中并直接在此处上传。

明天我将花一些时间 、使用 MSPM0L2228 LaunchPad 来解决该问题。

B.R.

SAL

我的两个测试项目：

e2e.ti.com/.../MSPM0_2D00_FlashTest.zip

MSPM0L2228的控制台输出：

谢谢、Sal。

我很好奇、您是否同样拥有中断以及您能找到什么。

我很高兴明天收到您的来信

B.R. Timo.

尊敬的 Timo：

很抱歉耽误你的时间、今天比较忙。 我希望这个问题对您的申请来说不那么紧迫。

我计划在    本周结束前进行一些分析并更新进展情况。 感谢您的耐心。

如果您想更新任何信息、也请告知我。

B.R.

SAL

尊敬的 Sal：

老实说、这有点紧急。 我们喜欢在新项目中使用此芯片、以及器件中是否存在对我们来说将是大问题的错误。 但愿不是如此。 希望我出错了、大家可以快速找到解决方案。 那会更好。

尊敬的 Sal：

感谢您的测试。

我想、如果闪存位于0xFF 上、可以写入其他值。 这也适用于写入、值位于闪存中。 但 ECC 似乎是个问题。 我可能同意、由于 ECC、我必须在写入前进行擦除。

但是、让我真正感到奇怪的是、它在 MSPM0G 上不使用擦除即可工作。 API 和 TRM 接缝相同。
你能解释一下吗？

我再次提问的原因是 MSPM0G 的行为符合我的预期。 我的算法就是基于这种设计的。 那么、我感兴趣的是这些器件之间的差异。 我知道 MSPM0L 具有两个存储器组、但这并没有解释不同的行为。

B.R.
Timo

尊敬的 Timo：

我不使用 G3507测试您的代码、因为代码看起来稍有不同、因此请进一步分析 它的低级别逻辑。

以下代码与我在 G3507中进行测试的代码相同、NMI 始终触发。

这是预期行为。

如果您在固件加载后检查 ECC 代码而不开始闪存写入、则可能会发现 ECC 代码已更改。 以下是 G3507数据、L2228应该具有相同的功能。

触发 NMI 后：

我认为、如果闪存打开0xFF、则可以写入其他值。

是的、您可以。 但您忽略了 ECC 代码。 它也是一个闪存区域。  这意味着您不能将"0"写入"1"。 这会发生错误。

我想您应该了解以下内容：

将0xFF 写入闪存也将更改 ECC 代码。 默认 ECC 代码是0xFF、这意味着 相应的闪存是空白、而不是0xFF。

B.R.

SAL

尊敬的 Timo：

您怎么看？

您可以在此处分享您的 LP 的图片、我可以进一步帮助您进行检查。

实际上、预采样 LP 无法使用最新的 SDK、当您将程序加载到器件中时将报告一些警告。

唯一未决问题是、ECC 值存储在 MSPM0L 上的位置？ 这是完全清楚所缺少的。 如果您发现任何问题、请告诉我。

是的、我已经与其他团队专家进行了讨论、如果有任何进展、我将在此处进行更新。

B.R.

SAL

尊敬的 Sal：

当然可以

是的、我收到了该警告。
但我不知道、它可能有这个效果。

B.R.
Timo

尊敬的 Timo：

明白了。 请使用 RTM 样片进行进一步测试、我想可以正常工作。

至于 MSPM0L2228 ECC 代码存储闪存区域、我 认为这不会阻碍您的持续开发。 由于仅提供了接口供用户查看、因此在写入时、它与闪存地址同时写入。

总之、 我会在有进展时进行更新。 感谢您的耐心。

B.R.

SAL