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[参考译文] AM2434:[AM2434_ALV]系统复位(CCS)无法进入引导加载程序

Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: TMDS243EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1384290/am2434-am2434_alv-system-reset-ccs-can-not-enter-the-bootloader

器件型号:AM2434
主题中讨论的其他器件:TMDS243EVM

工具与软件:

主引导模式:SPI
备用引导模式:UART
SDK:mcu_plus_sdk_am243x_09_00_00_35

我们为定制闪存制作了一个 sbl_ospi.release.hs_fs.tiimage、该电路板可以正确加载应用并在其上电后运行、

但当我进行热复位或系统复位时、会跳转到 UART 引导、原因是什么?

打开电源:

bootloader_open bootHandle=1879120384
Bootloader_parseMultiCoreAppImage STATUS=0、OFFSET=32
BootloadCpu CSL_CORE_ID_R5FSS0_0 isSelfBoot=1
[bootloader_profile]引导介质      :NOR SPI 闪存
[bootloader_profile]引导介质时钟:133.333 MHz
[bootloader_profile]引导映像大小 :0KB
[bootloader_profile] Cores present   :
r5f0-0
[引导加载程序配置文件] SYSFW init                      :     12165us
[引导加载程序配置文件] System_init                     :     19368us
[引导加载程序配置文件] Drivers_open                    :       277us
[引导加载程序配置文件] Board_driversOpen               :       482us
[bootloader profile] Sciclient 获取版本           :      1490us
[引导加载程序配置文件] CPU 负载                        :      9778us
[bootloader_profile] SBL 总耗时            :     43563us

图像加载完成、切换到应用程序...
CSL_CORE_ID_R5FSS0_0:图像加载开始...
CSL_CORE_ID_R5FSS0_0:图像加载完成、偏移= 32、图像大小= 2801632

 \|/
- RT -    Thread Secure Auto 基于4.1.1-LTS

热复位之后:

0960000011a0000616d36347800000000000048534653000002000000020002a6000000000000b018658ad99dc903c8c9bfb27b12751099920a042ad1d997b

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    您好!

    您能否分享一下您在什么时间点进行热复位以及相同的代码?

    谢谢!

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    感谢您的回复、我们在仿真时执行热复位的那一刻是不确定的、并且运行时的热复位函数是直接通过 RTOS 外壳调用的。

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    您好!

    您使用的确切 SPI 主引导模式是什么?

    我怀疑 ROM 在热复位后读取闪存时出现问题。 如果闪存未在 wam 复位时被复位、则可能会发生这种情况、因此 ROM 将闪存部分置于引导加载程序留下的状态中。

    此致、

    Prashant

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    您好、

    我们将引导模式配置为位[15:7]= [0000 1101 0]、位[6:0]=[001 1011]、因此我们的主引导模式为 SPI。

    我们使用的闪存是 GD25Q256、通信协议为1s-1s、不启用 PHY 模式、一旦使用该模式、当 SPI 与闪存通信时会发生错误。

    在过去几天里、我们已经尝试配置闪存的重置功能、但它无法正常工作。 为什么 RESETSTATz 无法向闪存的#RESET 生成 RESET 信号?

    我发现 EVM 板 OSPI (8d-8d-8d)可以复位闪存、但我的板无法使用1-1s 生成复位信号。

    你有什么其他建议吗?

    祝你一切顺利

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    您好!

    在您的电路板原理图中如何处理闪存的复位引脚?

    这是 TMDS243EVM 的原理图

    另一个注意事项是、您是否在触发热复位之前尝试过软件闪存复位?

    此致、

    Prashant

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    您好!

    最后、我们通过修改热复位信号(RESETSTATz)解决了此问题。
    该问题的原因实际上是闪存复位引脚的处理、而闪存复位引脚在我们的电路板上具有要多路复用的其他功能。 .
    但我有个问题:要生成 OSPI 的复位信号(GPIO_OSPI_RSTn)必须处于8D-8D-8D 模式? 未在我们的电路板[1S-1S-1S]上测量该信号。

    祝你一切顺利

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    您好、Pan Fei、

    GPIO_OSPI_RSTn 是一种替代复位选项、可用于复位闪存而不复位 SOC。

    GPIO_OSPI_RSTn 连接到其中一个 SOC IO、用于对闪存复位进行软件控制。

    [报价 userid="606257" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1384290/am2434-am2434_alv-system-reset-ccs-can-not-enter-the-bootloader/5305810 #5305810"]最后、我们通过修改热复位信号(RESETSTATz)解决了此问题。
    该问题的原因实际上在于对闪存复位引脚的处理、而闪存复位引脚在我们的电路板上还有其他要多路复用的功能。

    您是否能够共享原理图进行审阅和评论。

    是否有一个连接到闪存复位输入的上拉电阻器。

    如果愿意、您可能必须将上拉电阻重新配置为下拉电阻以使闪存保持复位状态、直到 SOC 复位状态取消置位。

    此致、

    Sreenivasa

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    您好、Sreenivasa、

    电路板中的闪存选择 采用 WSON8封装的 GD25Q256、复位引脚默认为保持功能、需要通过状态寄存器配置为复位功能、且不能使用四路模式、否则、该引脚将成为四路通信的数据引脚、上述两个点是热复位进入 UARTmode 的主要原因。

    其次、我的电路板在 RESETSTATz 上具有10K 的3.3V 上拉电阻、我们最初认为这存在问题、我们将其更改为下拉电阻、但后来我们发现另一个 具有上拉电阻的电路板也成功。

    除了上拉电阻外、原理图与 EVM 板相同。

    此致

    Panfei

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    您好、Pan Fei、

    感谢您提供*意见和感谢。

    请注意、在 RESET 引脚上设置上拉电阻可在上电期间启用闪存。

    您可能看不到功能问题、但这可能会影响闪存性能。

    此致、

    Sreenivasa

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    您好!

    感谢您的提醒、我们稍后将关注这一点。

    此致、

    Panfei

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    您好、Pan Fei、

    谢谢你。

    此致、

    Sreenivasa