[参考译文] TM4C1290NCPDT：写入闪存时出现访问错误

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1391684/tm4c1290ncpdt-access-error-when-writing-to-flash

工具与软件：

我将写入引导加载程序并将程序数据写入闪存(从地址0x0001 0000开始)这正常运行、直到我点击地址0x0002 0000、然后程序在原始中断状态寄存器中检测到访问错误。 我已经检查了 FMPREn 和 FMPPEn 寄存器、发现所有的位都被置位。  我还检查了应该进行写入的闪存地址、发现它全为0、而不是要写入的数据。 以下是用于写入闪存的代码。  

BOOL amd_WriteWord(volatile ULONG* pulDest, ULONG* pulSource)
{
   BOOL bOK = TRUE;
   union
   {
      UBYTE ubByte[4];
      ULONG ulWord;
   } atTemp;
   MAP_IntMasterDisable();
   patFlash->FCMISC = (FLASH_FCMISC_AMISC | FLASH_FCMISC_VOLTMISC |
                           FLASH_FCMISC_ERMISC);
   patFlash->FMA = pulDest;
   atTemp.ubByte[0] = *((UBYTE*)pulSource);
   atTemp.ubByte[1] = *((UBYTE*)pulSource+1);
   atTemp.ubByte[2] = *((UBYTE*)pulSource+2);
   atTemp.ubByte[3] = *((UBYTE*)pulSource+3);
   patFlash->FMD = atTemp.ulWord;

   patFlash->FMC = FLASH_FMC_WRKEY | FLASH_FMC_WRITE; 
   while (patFlash->FMC & FLASH_FMC_WRITE) {} //wait for the write to complete
   if (patFlash->FCRIS & (FLASH_FCRIS_ARIS | FLASH_FCRIS_VOLTRIS |
                             FLASH_FCRIS_INVDRIS | FLASH_FCRIS_PROGRIS))
   {
      bOK = FALSE; 
   }
   MAP_IntMasterEnable(); 
   return(bOK);
}

当 pulDest = 0x0002 0000时会发生该错误。 传递给该函数的数据也是有效的。  

感谢任何帮助调试。