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[参考译文] MSPM0L1306:更改 NRST 引脚上的电容器

Guru**** 1821780 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1390844/mspm0l1306-changing-the-capacitor-on-the-nrst-pin

器件型号:MSPM0L1306

工具与软件:

尊敬的专家:

Q1:可以将 NRST 引脚上的电容器从10nF 更改为1uF 吗?

Q2:如果没有问题,有什么问题吗?
(低电平到高电平和高电平到低电平转换时间的注释、JTAG 连接的注释等)

我​​在数据表或 "MSPM0 L 系列 MCU 硬件开发指南(修订版 A)"中找不到除10uF 以外的任何推荐值、因此如果您能告诉我会有所帮助。

此致、
棒极了 h

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、O. H、

    我想问一下为什么要增加电容器?   

    如文档中所示、对于大多数应用、我们建议使用47k 欧姆上拉电阻器和10nF 电容器、但数据表中没有严格的规格。  我相信、选择这些值是为了提供快速时间常数、使任何器件都能够轻松地快速拉低、并针对高频噪声提供一些保护。   

    我认为客户可以尝试不同的电容值、它可能可以正常工作、但某些编程工具可能无法将 nRST 拉低足够长时间以应对较大的电容。  我真的不能肯定地说。  他们可能只需要对其进行测试并在开发过程中看到的内容持开放态度。    

    我希望这对您有所帮助、  

    JD

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    您好、JD:

    感谢您的支持。 我明白了。

    目的是降低成本。 如果无法对其进行编程、则会产生适得其反的效果、因此我们将彻底测试/验证它。

    此致、
    棒极了 h