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[参考译文] TMS570LS1224：在位置问题上进行回流焊

admin
Guru**** 1796140 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1392056/tms570ls1224-reflashing-at-a-location-issue

器件型号：TMS570LS1224

工具与软件：

您好！  

我将使用 FAPI 命令擦除和写入闪存。 由于必须在重新写入之前擦除存储器、因此我首先发出擦除命令、然后使用Fapi_issueProgrammingCommand进行写入。 擦除和写入过程首次成功执行。 但是、在第二次尝试时、当以单次运行的方式执行时、该过程会在擦除步骤期间卡住。 有趣的是、在逐步执行过程时、刷新正确发生。 您能帮忙解决这个问题吗？

谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Vidya：

    您在哪家银行写？

    LS1224中有两个存储体、即存储体0 和存储体7、那么您要使用 FAPI 在哪个存储体上写入？

    是否有可能共享您的代码以快速了解您正在执行的确切过程？

    ——
    谢谢、此致、
    Jagadish。

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    我正在写入组0。  

    这是用于擦除的代码。

    uint8_t ErasenVerify (uint32_t MemAddr)
    ｛
    Fapi_Status 4.44返回检查= Fapi_Status_Success；

    flashWREG->FRDCNTL = 0x0110U；/*RWAIT = 1、80MHz 系统时钟*/

    FAPI_WRITE_EWAIT (5U)；/* EWAIT = 3*/

    Fapi_issueAsyncCommand (Fapi_Clear)；

    oReturnCheck = Fapi_initializeFlashBanks (SYS_CLK_FREQ)；
    if (oReturnCheck == Fapi_Status_Success)；
    ｛
    oReturnCheck = Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_Flash 0)；
    if (oReturnCheck == Fapi_Status_Success)
    ｛
    oReturnCheck = Fapi_enableMainBankSectors (0xFFFF)；
    if (oReturnCheck == Fapi_Status_Success)
    ｛

    while ( fapi_check_fsm_ready_busy !=4074 Fapi_Status_Fsm );

    if (fapi_check_fsm_ready_busy == Fapi_Status_Fsm)
    ｛
    oReturnCheck = Fapi_issueAsyncCommandWithAddress (Fapi_Erase 3572tor、MemAddr)；

    while ( fapi_check_fsm_ready_busy !=4074 Fapi_Status_Fsm );
    if ( fapi_check_fsm_ready_busy == Fapi_Status_Fsm )
    ｛
    if (FAPI_GET_FSM_STATUS == 0)
    返回1；
    设计
    返回0；
    }
    //验证已擦除的状态
    //Fapi_doBlankCheck (0x00024000、0x0011BFFF、poFlashStatusWord)；
    }
    }
    }
    }

    }

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    TI__Guru**** 1796140 points
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    尊敬的 Vidya：

    WHA 是否是您正在通过的"MemAddr"？

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    0x18000。 谢谢  

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    尊敬的 Jagadish：  

    请求您尽快提供帮助。  

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    尊敬的 Vidya：

    我验证了您的代码、但我看不到您的代码有任何问题。  

    我需要一些时间在最后创建示例并调试问题

    ——
    谢谢、此致、
    Jagadish。

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    好的。 期待您的回复。

    谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    尊敬的 Vidya：

    您能否在以下主题中尝试 QJ 给出的权变措施一次：

    (+) TMS570LS1224：F021闪存 API 在擦除或重新编程闪存扇区时导致进入预取条目。 -基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

    ——
    谢谢、此致、
    Jagadish。

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    您好、我已尝试过此功能、但问题尚未解决。 请提供帮助。

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    TI__Guru**** 1796140 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    很遗憾、由于策略限制、我无法共享完整的代码。 我们是否可以安排一个电话来解决这个问题？ 请尽快协助。

    谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 1796140 points
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    尊敬的 Vidya：

    我没有 LS1224板、因此我在 RM46上创建了一个示例并进行了测试。 工作正常、您可以一次参考以下示例吗：

    e2e.ti.com/.../6303.FAPI_5F00_BANK0_5F00_TEST_5F00_RM46.zip

    您可以看到、首先我正在擦除一个扇区、然后我正在写入该扇区、然后我再次成功地擦除该扇区并再次写入：

    您可以创建一个类似工程、并且可以在您的最终使用 LS1224控制器进行测试。

    ——
    谢谢、此致、
    Jagadish。