[参考译文] 是 MCU 域可访问的 MSMC SRAM 部分

您好！
您的问题已分配给相应的工程师、感谢您的耐心等待。

谢谢！

Neehar

您好！

是的、对于 MCU 和主域、默认情况下可以访问0x70040000的系统地址。 此系统地址映射到 MSMC3。  MSMC3可以是高速缓存或 SRAM。  默认为 SRAM。

在启用 MPU 但没有为该区域设置条形寄存器的情况下、您很可能尝试从 MCU-R5访问存储器、因此内核拒绝该访问。  我建议您对代码进行试验并使用调试器来排除故障、从而找出根本原因。  我附上了简短的视频、其中介绍了 MCU 和主域成功访问存储器的情况。  该视频还展示了缺少 MPU 条目如何导致无访问中止。  

e2e.ti.com/.../tda4al_5F00_70040000_5F00_2024_2D00_08_2D00_08_5F00_17h43_5F00_08.mp4

尊敬的 Richard：

n`t 提供的信息非常感谢、我们没有启用 MPU、在以下模式下、我们仍然面临相同的问题

• 当我们仅在 MCU 上运行时、它会起作用  
• 当我们同时尝试 MCU 和主域时、我们会得到内核冻结

我们一直在尝试调试、没有明显的输出、

您还有其他想法吗？

在使用 MSMC 之前、我们是否需要进行任何特定的配置？

是否更多信息或详细信息、而不是数据表中的信息或详细信息？

您好 Amira、

在典型运行期间、MCU 和 MAIN 均可实现 MSMC-SRAM 访问。  我提到过、访问的第一个问题是与 R5 MPU 相关。  我可以想象过去基于历史记录出现运行时问题的几个可能原因：  #1某个代码设置了防火墙、该代码阻止来自其中一个内核的访问；#2如果 MSMC-SRAM 完全重新配置为 L3高速缓存而不是 SRAM、#3一些代码尝试以不安全的方式"重新编程"MSMC 默认值。   #4其中一个内核"或其他内核"设法生成总线协议违例、导致路径挂起、现在来自其他内核的访问挂起。  #4在软件中会更难实现、但如果错误代码将"时钟"设置为超出规格的速度、则可能导致协议违例类型挂起。   我假设5个问题是、当由于 PDN 违例而有过多内核处于活动状态时、您的定制硬件可能出现电压骤降(欠压)、当发生电压骤降时、所有各种问题都会发生(包括协议违例)、然后挂起。