[参考译文] MSPM0G1506：在将数据写入内部闪存 ROM 时、如果数据设置为全局变量、则会发生硬故障中断。

您好！

您的图片不清晰、能否上传新图片？

你(们)好

我已粘贴文本作为源代码。
我已将图像粘贴为执行结果。
请检查它。

【源码】

#if _debug_flash_WT
static errlog_t stDmyLog；//←全局变量
#endif
#if development_msp430_to_MSPM0
__attribute__((optnone))
int main (void)
#else
void main (void)
#endif
｛

#if development_msp430_to_MSPM0
uchar bSysRequest；
uchar bTskRequest；
uchar bCnt；

#if _debug_flash_WT
errlog_t atDmyLog；//←局部变量
uint32_t qDistAddr = 0x00000800；
uint32_t qSize = sizeof (errlog_t)；

uint32_t qWrCnt；
uint32_t qWrtAdr；
uint32_t qSctAdr；
Volatile DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS stsCmdStatus；
uint32_t * pqSrc；

barray_fill ((uchar*)&atDmyLog、0xAA、(uchar)sizeof (errlog_t))；
pqSrc =(uint32_t*)&atDmyLog；//将数据写入局部变量时←μ s

barray_fill ((uchar*)&stDmyLog、0xAA、(uchar) sizeof (errlog_t))；
pqSrc =(uint32_t*)&stDmyLog；//将数据写入全局变量时←μ s

//擦除
qSctAdr = 0x00000800；
CPUSS->CTL &=~CPUSS_CTL_ICACHE_ENABLE；
DL_FlashCTL_unprotectSector (FLASHCTL、qSctAdr、DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN)；
stsCmdStatus = DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM (FLASHCTL、qSctAdr、DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR)；
如果(stsCmdStatus == DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_FAILED)
｛
;;;;
}
DL_FlashCTL_waitForCmdDone (FLASHCTL)；
CPUSS->CTL |= CPUSS_CTL_ICACHE_ENABLE；

//编程
CPUSS->CTL &=~CPUSS_CTL_ICACHE_ENABLE；
for (qWrtCnt =0；qWrtCnt < qSize；qWrtCnt+=8)
｛
qWrtAdr = qDistAddr + qWrtCnt；
DL_FlashCTL_unprotectSector (FLASHCTL、qSctAdr、DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN)；
stsCmdStatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated (FLASHCTL、qWrtAdr、(uint32_t*) pqSrc)；//对写入数据进行寻址(pqSrc)
如果(stsCmdStatus == DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_FAILED)
｛
;;;;
}
PqSrc +=2；
}
CPUSS->CTL |= CPUSS_CTL_ICACHE_ENABLE；
while (1)；
#endif

您好！

感谢您提供详细信息。

这似乎很有趣,我将在明天从我身边进行测试,并尽快给你的反馈。

此致、

Zoey

您好！

我已经从我这边验证过。 全局变量和函数内部变量都可支持写入 闪存。

#include "ti_msp_dl_config.h"

/* Address in main memory to write to */
#define MAIN_BASE_ADDRESS (0x00000800)



/* 32-bit data to write to flash */
//uint32_t gData32 = 0x33333333;
volatile DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS gCmdStatus;


int main(void)
{
    SYSCFG_DL_init();
    uint32_t gData32 = 0x33333333;
    uint32_t *pqSrc;

    pqSrc = (uint32_t*)&gData32;

    /* Unprotect sector in main memory with ECC generated by hardware */
    DL_FlashCTL_unprotectSector(
        FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    /* Erase sector in main memory */
    gCmdStatus = DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM(
        FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR);

    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    gCmdStatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(FLASHCTL, (MAIN_BASE_ADDRESS), (uint32_t*)pqSrc);
    while(1);

}

您能根据我的演示代码再次核对一下吗

此致、

Zoey

您也可以上传该项目的简化版本、以便帮助您快速进行调试。

你(们)好

感谢您的答复。
我检查的微控制器型号为"MSPM0G3506T"。
我很抱歉。
很抱歉给您带来麻烦、但您也可以在此处查看吗？

您好！

这是相同的、我的测试 MCU 编号是 MSPM0G3507。

你(们)好

我很抱歉。 我被告知这个问题不会发生在那里,所以我在这里再次调查它。
目前、优化设置为"-z"、
但我发现如果我将其设置为"-0"、则不会发生硬故障。
我试着将 volatile 修饰符添加到用于存储写入数据的全局变量中、
但发生了硬错误。
创建具有优化"-z"的源代码时、
您能否告诉我、是否有任何我应该小心的事情、或者您是否知道问题的原因？