工具与软件:
嗨、团队:
根据数据表、VIL 和 VIH 之间的上升/下降时间指定为 tin_SLEW=1nsmax。

Q1:这是否意味着 MCU 输入电压的上升/下降时间 必须小于1ns?
Q2:所有输入端子是否都必须满足这些规格?
Q3:如果上升/下降时间超过1ns、那么运行是否会出现问题?
此致
大桥
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工具与软件:
嗨、团队:
根据数据表、VIL 和 VIH 之间的上升/下降时间指定为 tin_SLEW=1nsmax。

Q1:这是否意味着 MCU 输入电压的上升/下降时间 必须小于1ns?
Q2:所有输入端子是否都必须满足这些规格?
Q3:如果上升/下降时间超过1ns、那么运行是否会出现问题?
此致
大桥
你好、大桥
[报价 userid="520939" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1432689/rm46l430-input-timing-requirement ]Q1:这是否意味着 MCU 输入电压的上升/下降时间 必须小于1ns?上升/下降时间应小于1ns。
[quote userid="520939" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1432689/rm46l430-input-timing-requirement 问:所有输入终端是否都必须符合这些规范?是的、所有 GPIO 输入端子都应满足此要求。
[quote userid="520939" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1432689/rm46l430-input-timing-requirement Q3:如果上升/下降时间超过1ns、操作是否有问题?它会导致 IO 单元额外老化。 信号位于 VoH/Vol 中间范围的时间越长、在电压缓冲器上就会出现更多磨损。
——
谢谢、此致、
Jagadish。
尊敬的 Jagadish:
感谢您的支持。
这会导致 IO 单元额外老化。 信号在 VoH/Vol 中间范围内的时间越长、在电压缓冲器上就会出现更多磨损。
为什么 Voh/Vol 中频段的信号给电压缓冲器造成磨损?
此致
大桥
你好、大桥
当设备处于"未定义状态"时、*消耗的电量可能比平时多得多(可能导致设备死亡)。 这是因为在这种状态下、芯片内的某些电路元件全部"导通"、基本上在 Vcc 和 Vss 之间产生一个死短路。 因此在大多数数字 IC 上必须避免这种情况。
您可以一次性参阅以下链接以了解更多详细信息吗:
数字逻辑-当电压处于不确定的区域时会发生什么情况? -电气工程堆栈交换
为什么 TTL 和 CMOS 电路在0和1逻辑之间具有不确定区域? - Quora.
——
谢谢、此致、
Jagadish。
尊敬的 Ryoma:
对于响应延迟、我们深表歉意、
我们在原理图中使用了一些 SN74xx 系列多路复用器等。

我想您可以将这些器件用于您的实施。
您可以通过以下链接查看我们的原理图:
LAUNCHXL2-RM46开发套件|德州仪器 TI.com
——
谢谢、此致、
Jagadish。