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[参考译文] RM57L843:使用 Fapi_Auto EccGeneration 写入闪存组7无法正常工作。

Guru**** 2578975 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1435466/rm57l843-writing-to-flash-bank-7-using-fapi_autoeccgeneration-is-not-working

器件型号:RM57L843

工具与软件:

您好!

我有一个程序、其中我要将32字节的缓冲区写入从 0xF0200000开始的闪存组7。 我正在初始化并擦除存储体、然后从 Fapi 命令中写入4个连续的8字节缓冲区、没有错误:

  1. Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_Flash 境内)= Fapi_Status_Success
  2. Fapi_enableEepromBankSectors (0xFFFF、0x0000)= Fapi_Status_Success
  3. Fapi_issueAsyncCommandWithAddress (Fapi_Erase 52ctor、0xF0200000)=  Fapi_Status_Success
  4. Fapi_issueProgrammingCommand ((uint32_t *) 0xF0200000、srcAddr、8、0、0、 Fapi_Auto E.ccGeneration)返回 Fapi_Status_Success。 我使 dst 和 srcAddr 地址递增8个字节、并再次重复3次、刷写整个32字节缓冲区。

但是 、当我的应用尝试使用 memcpy 读取写入闪存的内容时、随机字节是粘滞的。 以下示例展示了如何尝试将32个连续的0写入组7、从 0xF0200000开始、然后使用 memcpy 读回:

所有值都应该为0、但 地址 0xF0200000 + 4、8、11、& 16不为0。 重新运行擦除、写入和/或重新启动电路板、重新运行显示的 地址与 sticky 相同。 我  在 Fapi_issueProgrammingCommand ()调用中找到了使用 Fapi_Data 而不是 EccGeneration 的唯一解决方案,但我仍然想在这些写入/读取中使用 Fapi_Auto。

如何解决此问题? 我想要一种无缝的方式将配置数据写入组7、然后将其作为未来启动的数据结构进行读取。