[参考译文] TM4C123GH6PM：#pragma DATA_SECTION 无法创建可用于数组的数据段

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1419793/tm4c123gh6pm-pragma-data_section-cannot-create-a-data-section-which-i-can-use-for-an-array

工具与软件：

我尝试将 TM4C123GHPM 中的 SRAM 修改为两个部分、一部分用于 MSP 和系统变量0x20000000、length =0x1000；对于 PSP、我已经设置了 ox20001000、length =0x7000、一直到 SRAM 末尾。 我已经命名了区域堆


--retain=g_pfnVectors.

小程序
｛
   Flash (RX)：origin = 0x00000000、length = 0x00040000
   SRAM (RWX)：origin = 0x20000000、length = 0x00001000 // 32KB
 // stack (RW)：origin = 0x20000000、length = 0x00001000 // 4KB
   heap (rwx): origin = 0x20001000, length = 0x00007000 // 28kB
}

/*以下命令行选项作为 CCS 项目的一部分进行了设置。    */
/*如果您使用命令行构建,或者出于某种原因想   */
/*在此处定义它们,您可以根据需要取消注释和修改这些行。     */
/*如果您使用 CCS 进行构建、可能最好制作任何此类*/
/*在 CCS 项目中进行修改、并保留该文件。              */
/*                                                                          */
 --heap_size=0
/*-- stack_size=256                                                         */
/*--library=rtsv7M4_T_le_eabi.lib                                          */

/*存储器中的段分配*/

部分中)
｛
   .intvecs：  > 0x00000000
   .text  :  >闪存
   .const :  > FLASH
   .cinit :  >闪存
   . Pinit :  >闪存
   .init_array :> FLASH

   .vtable：  > 0x20000000
   .data  :  > SRAM
   . bss   :  > SRAM
   .sysmem :  > SRAM.
   .stack :  > SRAM.
   heap : align (4)> heap
}

__STACK_TOP =__STACK + 512；

但是、当我按如下方式编写 DATA_SECTION pragma 时、它会编译、但当我尝试访问数组时、我收到总线错误

#pragma DATA_SECTION (myHeap、".heap")
static uint8_t myHeap[16]；//全局堆内存

uint8_t * a=myHeap；//我可以单步执行这一行

*a=23;//但当我访问这里分配的内存时,我得到总线错误
A=A+4；

*a=32;

我的问题是 DATA_SECTION pragma ,它是否为我提到的区域分配内存. 请建议一种更好的方法来写入 cmd 文件数据段