工具与软件：
上电并启用 FIRQ 后、会立即触发 ESM 高优先级中断。
一段时间后、当 FreeRTOS 开始调度时、会再次触发中断。 之后、程序似乎正常运行、并且不再出现故障。
两次发生故障时、esmREG->IOFFHR = 36。
我查看了相应的手册、似乎此故障与 Cortex-R5F 内核-所有致命总线错误事件有关。 [通常是由于闪存中的 ECC 值不正确或不完整而导致。]
我在另一个主题中发现了类似的问题。 解决方案似乎是用来vfill 填满整个闪存。
但是、我们在 CCS 生成十六进制后向文件中添加一些数据、这似乎很难确保 ECC 的正确性。 另外、我不确定这是否是中断的原因。 有时、在烧录一个附加应用程序后、似乎不会发生中断
尊敬的 Dai：
[报价 userid="621697" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1408843/tms570lc4357-esm-high-interrupt-was-triggered-twice-after-powering-up "]但是、我们在 CCS 生成十六进制文件后向文件添加了一些数据、这似乎令确保 ECC 的正确性变得困难。 另外、我不确定这是否是中断的原因。 有时、在烧录另一个应用程序后、似乎不会发生中断[/QUOT]我认为额外的添加数据可能会导致这个问题、因为 如果我们启用以下选项、CCS 将自动为应用生成 ECC。
但是、如何将附加数据添加到 CCS 生成的 Hex 文件中？ 是否将 ECC 添加到 ECC 部分的相应数据中？
如果我们没有向相应的数据添加 ECC、那么这可能会导致问题、因为该器件的 ECC 检查将始终处于启用状态。 所以、它将进行推测取数据并验证闪存内容的完整性、如果有任何 ECC 错误、那么器件将生成 ESM 错误。
我的建议是、首先删除您要添加的附加数据并验证 ESM 错误、如果在删除此数据后未出现错误、则应仅针对这些数据。 然后、我们将验证对该额外数据进行编程的过程。
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谢谢、此致、
Jagadish。
你好、 jagadish、
感谢您的答复
使用 Uniflash 或带有 F021库的 MCU 进行编程。 如下图所示、我应该已经启用了 ECC 相关设置。
2. 我们使用自己的工具来解析 CCS 生成的 hex 文件、并在相应的位置添加所需的数据。 我想知道是否也可以在编程过程中添加 ECC？
3.我尝试不添加额外的数据并vfill在 cmd 文件中添加、但我发现vfill似乎没有填补闪存中的空白、问题仍然存在。 下面是我们的 cmd 文件和实际生成的十六进制文件中的段分配。
十六进制
命令
从地址0x10 0000 (含矢量表)开始、区域大小为0x100。 内核数据从0x10 0100开始、但实际生成的文件似乎在矢量表和内核数据之间存在间隙。
4.最后一个问题、如果以这种方式填充闪存、编程文件将会非常大、从而导致软件编程时间更长。
你好、 jagadish、
今天,我继续测试这个问题,并取得了一些新的发现:
esminit从 HAL 库调用以初始化故障、有时故障会在设置后清除、但有时它不起作用。 这是为什么 