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[参考译文] MSPM0L1306:闪存代码区域

Guru**** 2392635 points
Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1306

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1435134/mspm0l1306-flash-code-area

器件型号:MSPM0L1306

工具与软件:

嗨、团队:

是否可以将代码区域覆盖闪存的上下两个区域?

另外、如果有任何预防措施、您可以告诉我吗?

提前感谢您。

此致、

Kenley

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    是的、您可以将该区域放置在 上下两个区域。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的赵宇浩:

    上、下区域是指什么?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对于 MSPM0L1306、低32KB 为100k 个周期、高32KB 为10k 个周期。

    但实际上、在 低32KB 和高32KB 之间没有限制。 您可以将该区域放置在这两个区域之间。