工具与软件：
您好、专家。
我们希望使用 DDR 保存复位期间保留的一些变量。 我们测试过它在默认情况下可以正常工作、但存在两个问题。
1) 1) DDR 的前16个字节将成为固定数据(00 FF 00 FF 00 FF 00 FF 00 FF)
2) 2)如果 DDR 未在复位后立即初始化、但在几秒钟后初始化、则 DDR 中的数据将部分异常。
因此、我们要使用 TRM 支持的 DDR 自刷新模式。 但我们在 TRM 中没有看到任何用于设置 SRE/SRX 命令的寄存器、也没有在 SDK 中看到相关函数。 您能否帮助了解如何通过 AM243X 进入和退出自刷新？ 如何 实现软件、以及如何实现硬件？
尊敬的 James：
我们使用 SDK9和 SDK10。
在复位期间需要保留超过10M 字节、因此 MSRAM 的使用容量是不够的。 此外、我们看到其他客户之前向您提出过这一问题、其回应是 MSRAM 中的变量无法在复位期间保留。 使用闪存或 EEPROM 的时间太长、所以我们希望使用 DDR 自刷新功能。
我们测试过 AM243X 在复位期间确实会复位 DDR 芯片。 、使用自刷新功能、我们可能需要断开 AM2434和 DDR 芯片之间的复位引脚、不确定这是否会导致任何其他问题。
我们也希望您能提供自刷新配置的详细过程、并使用更好的代码。 目前、我们只找到了一些可能与之相关的宏、尝试在复位前使这些位生效、 但未起作用。
尊敬的 James：
客户需要在复位期间在 DDR 上保留更大的日志数据(由 MCU SDK API SOC_generateSwWarmResetMainDomain ()或看门狗超时复位)、程序未在 DDR 上运行。 因此、希望不要复位 DDR 并使 DDR 保持自刷新模式、以实现目标。
#1。 复位期间 DDR0_RESET 引脚的状态是什么？ 本文未具体介绍该问题、我假设它在 SOC 复位期间不是被驱动、那么它将取决于外部上拉或下拉？
#2。 从 TRM 对主要域复位影响的说明中、不知道 DDR 模块寄存器是否将由热复位来复位/清除。 DDR 模块是否可以位于复位隔离模块中？
#3. 您对此用例有何建议吗？
尊敬的 James：
从 Tony 的以下问题中、您能否提供答案？
客户需要在复位期间在 DDR 上保留更大的日志数据(由 MCU SDK API SOC_generateSwWarmResetMainDomain ()或看门狗超时复位)、程序未在 DDR 上运行。 因此、希望不要复位 DDR 并使 DDR 保持自刷新模式、以实现目标。
#1。 复位期间 DDR0_RESET 引脚的状态是什么？ 本文未具体介绍该问题、我假设它在 SOC 复位期间不是被驱动、那么它将取决于外部上拉或下拉？
#2。 从 TRM 对主要域复位影响的说明中、不知道 DDR 模块寄存器是否将由热复位来复位/清除。 DDR 模块是否可以位于复位隔离模块中？
#3. 您对此用例有何建议吗？
尊敬的 James：
感谢您的答复。
AM243x EVM 板的 DDR0_RESETn 引脚状态存在以下大问题：
#1。 我们捕获了 AM243x 引导期间的 DDR0_RESETn 引脚行为、如上图所示、第1阶段是 MCU 初始化和第1个引导周期、DDR0_RESETn 引脚上拉至高电平、如您所述、DDR0_RESETn 引脚在热复位期间应为 Hi-Z、DDR0_RESETn 引脚状态应为高电平、但实际上、MCU 引脚状态为0.24V 电平、如图所示 这不受我们的固件控制、您能否解释一下为什么在第1阶段 DDR0_RESETn 引脚状态为0.24V？
谢谢
Kelven
尊敬的 James：
我来解释一下对应于上述 DDR 复位波形测试的代码策略。
为了进行测试、我们在 sbl_ospi SysConfig 中删除了 DDR、并将其添加到应用程序 SysConfig 中、因此您可以看到相位1更长、相位2更短。 此外、我们可以通过以下方法确认 phase1不是我们的固件需要的行为：
1) 1)在 sbl_ospi 开始时添加延迟、相位1将更长。
2) Debug sbl_ospi、DDR RESET 引脚电平在第1阶段下保持、直到调用 Bootloader_runSelfCpu ()来加载应用。
3) 3)删除应用程序 SysConfig DDR、DDR 复位引脚将保持在第1阶段。
对于阶段2、我们发现它由 DDR_START 触发。
所以、我们认为 Phase1是您的芯片策略或错误、不能在我们这边修改、而 phase2 alse 还不知道是否有任何寄存器可以被修改为掩码。
