工具与软件:
大家好!
是否可以将 MSPM0C1103SDGS20R 的 I/O 设置为高阻态(P 和 N 都关闭)和 L 输出(P 关闭、N 开启)?
我在 TRM 中查看、在 GPIO 配置寄存器中找到一个名为 HIZ1的位。
是否仅针对可耐受5V 电压的 IO PA0、PA1启用该位?
如果这对所有 IO 都有效、我可以通过该位读取到其他 IO 可以是漏极开路。
此致、
Ito
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工具与软件:
大家好!
是否可以将 MSPM0C1103SDGS20R 的 I/O 设置为高阻态(P 和 N 都关闭)和 L 输出(P 关闭、N 开启)?
我在 TRM 中查看、在 GPIO 配置寄存器中找到一个名为 HIZ1的位。
是否仅针对可耐受5V 电压的 IO PA0、PA1启用该位?
如果这对所有 IO 都有效、我可以通过该位读取到其他 IO 可以是漏极开路。
此致、
Ito
您好、Ito:
您可以将正常的 GPIO 配置为 Hi-Z 模式。
请使用以下 API 更改为高阻态模式。 在此模式下、GPIO 类似于开漏、您可以使用外部上拉电阻器来输出高电压。
DL_GPIO_initDigitalOutputFeatures(GPIO_GRP_0_PIN_0_IOMUX, DL_GPIO_INVERSION_DISABLE, DL_GPIO_RESISTOR_NONE, DL_GPIO_DRIVE_STRENGTH_LOW, DL_GPIO_HIZ_ENABLE);
使用以下代码进行更改、以使用内部上拉/下拉电阻器模式、即所谓的正常输出模式。
DL_GPIO_initDigitalOutput(GPIO_GRP_0_PIN_0_IOMUX);
此致、
Zoey
Zoey、您好!
感谢您的答复。
[报价 userid="571916" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1446048/mspm0c1103-how-to-switch-i-o-between-hi-z-and-low-outputs/5545190 #5545190"]但是、如果您要在 Hi-Z 模式/开漏模式下输出高电压、则需要使用外部上拉电阻、该电阻是开漏功能、如 PA0和 PA1。对于3.3V 输出、是否需要外部上拉电阻器?
此致、
Ito