Other Parts Discussed in Thread: AM2432
工具与软件：
尊敬的专家：
我正在测试 AM2432 PRU、但在 PRG0_PRU1_GPO10上遇到了奇怪的输出电压。
我正在使用 PRU 共享存储器中的一个字节作为 R5F 内核的标志、以控制 PRG0_PRU1_GPO10输出。
R5F 内核清除共享存储器地址0x010404至0x00、以便 PRU 汇编代码在 PRG0_PRU1_GPO10上输出负脉冲。
地址0x010404中的 R5F 内核将0x01更改为0x00值的持续时间大约比 PRU 汇编代码生成的负脉冲长3倍。
代码示例如下：
您能否帮助检查导致此电压误差的设置？
非常感谢。 Jason
您好、Sreenivasa、
我尝试将该 TX_DIS 设置在地址0x000F41D8、这是 PRG0_PRU1_GPO10焊盘的 CTRLMMR_PADCONFIG118。 这是我看到的半电压电平引脚。
在我设置该位之前、0x000F41D8中的值为0x00010000、设置 TX_DIS 后、该值变为0x00210000。 由于从开始、那个地址0x000F41D8的位31为零、我没有使用 line565来解锁它：
在第566行命令之后、该地址0x000F41D8的值变为0x00210000、如下所示(在 CCSv12 MemoryView 中)：
在地址0x000F41D8设置 TX_DIS 位的情况下、PRU 内核无法 再拉低 PRG0_PRU1_GPO10引脚。 我使用单步执行以下第10行命令(被忽略？)：
我不知道是否有任何步骤缺失或以错误的方式进行？
请帮助检查此条件。
非常感谢。 Jason。
尊敬的 Jason：
[报价 userid="353425" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450846/am2432-pru-output-voltage-unstable/5566853 #5566853"]在第566行命令之后、该地址0x000F41D8的值在 CCSv12 MemoryView 上变为0x00210000、如下所示：[/QUOT]上述行为似乎是预期行为。 这里用户正在尝试设置 TX_DIS 位、即 PADCONFIG[21]、因此值0x210000表示位21已成功设置。
[报价 userid="353425" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450846/am2432-pru-output-voltage-unstable/5566853 #5566853"]在地址0x000F41D8处设置 TX_DIS 位时、PRU 内核 不再能够拉低 PRG0_PRU1_GPO10引脚。除 TX_DIS 位外、您还设置了 PADCONFIG[16]位、即 PULLUDEN。 这意味着您已禁用 PIN 的上拉/下拉功能。 PADCONFIG[16]位低电平有效。
请参阅下图。
希望上述内容得到澄清。
此致、
Tushar
尊敬的 Tushar：
PRG0_PRU1_GPO10引脚设置测试结果：
(1)。 只要 PADCONFIG 寄存器位21为1 (1 =禁用 TX-DIS)、PRG0_PRU1_GPO10就不能有任何脉冲输出。 (2)。 只要 TX-DIS 启用、无论 PADCONFIG 寄存器位16 (拉高电平/拉低电平使能)是否启用、并且无论 example.syscfg PRU GPO10设置为拉高电平或拉低电平、PRG0_PRU1_GPO10引脚输出都有半电压电平问题。
这些拉高和拉低设置在负脉冲半电压电平问题的 GPO10引脚问题上没有发挥关键作用。
禁用 TX-DIS 后、以下 PRU 汇编命令无法更改 GPO10输出引脚上的电压电平：
clr r30.t10
设置 r30.T10
非常感谢您的提示、但此提示无法解决问题。
非常感谢。 Jason。
Tushar 和 Sreenivasa、
AM243x-LP EVM 板上运行的类似测试代码显示 PRG0_PRU1_GPO15引脚上没有出现半电压电平波形(该引脚是在 EVM 上引出的以便于测量、而不是 GPO10)。
为了获得正确的结果(TX_DIS 上无设置)、example.syscfg 设置在 PRG0_PRU1_GPO15引脚上设置为"拉高"。 这种情况下、简单代码还不会受到可能的两核竞争读取/写入条件的影响、并且低级别 H/W 自旋锁可用于未来多核共享标志/变量读取/写入代码、以防止可能出现的问题。
这是我自己的工程样片板、存在硬件错误。 如今、我将尝试使用另一个工程样片板来继续项目开发。
非常感谢您的帮助。
