[参考译文] LP-AM243：can##39；t 通过 NVM_APP_writeASYNC ()多次将数据写入闪存

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LP-AM243

工具与软件：

大家好、团队成员：

我将在 SDK 09_02_00_15版中使用401_SIMPLE 的"ethercat_slave_demo"为 LP-AM243x 开发应用。

我想逐个地将两个或更多数据复制到闪存中。一个数据的大小约为5k 字节。

下面是将数据复制到闪存的简化过程。

首先、我用过 NVM_APP_writeASYNC () 进行复制 数据缓冲区 1. .

第二,我也用过 NVM_APP_writeASYNC () 进行复制 数据缓冲区2 、返回后 NVM_ERR_SUCCESS 来自 EC_SLV_APP_fooe_fileWriteCb ()。

但是、第二次复制数据失败、然后返回 NVM_ERR_FAIL 来自 EC_SLV_APP_fooe_fileWriteCb ()。

数据缓冲区1 和 数据缓冲区 2. 在此过程中未更改。

您认为第二次不复制数据的原因是什么？

此致、

小山

0 admin 1 年多前

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您好、Oyama、

将数据写入闪存时、请始终确保 0.5 μ V 都是按页对齐的。

uint32_t NVM_APP_writeASYNC (

const NVM_TYPE_t 类型、

const uint32_t id、

常量 uint32_t 0.5 μ V 、

const uint32_t length、

const void * const pData)

这可能是您的案例中发生该故障的原因。可以尝试使用 NVM_APP_writeASYNC ()在一次迭代中将完整的数据写入闪存。

在当前的 NVM 驱动程序实现中、API NVM_DRV_FLASH_WRITE () 会在每次调用对应的块时擦除相应的块。当使用此 API 将连续的数据块写入闪存中的同一个块时、这会导致数据丢失。

在即将发布的 EtherCAT SDK 版本中、将更新 API NVM_APP_writeASYNC ()、NVM_APP_WRITE ()和 NVM_DRV_FLASH_WRITE ()、 以便用户决定是否在写入周期内需要块擦除。

此致、

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)