[参考译文] MSPM0G3507：存储变量

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Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3507, SYSCONFIG

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1459721/mspm0g3507-storing-variables

器件型号：MSPM0G3507
主题中讨论的其他器件： SysConfig

工具与软件：

您好！

我想问一下如何最好地将数据保存到闪存中。 
我需要使用,例如,序列号,版本和其他变量等特定的内存地址。 
但我希望某些值是只读的、其他值也是 R/W 
例如、这些更改随后不能被代码覆盖。 
有人可以建议吗？ 

谢谢你。 
1月

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2538950 points

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其他人对此有更多的经验,但这里是我所做的。

首先更改链接器文件以留出一些存储器。闪存下部具有更多的读取/写入寿命：

(这是我的 mspm0G3507.cmd 文件。 userconfig 是我为我的变量预留的内存。)

Modified for persistant flash storage: Keith Barkley Feb 2024
*****************************************************************************/
-uinterruptVectors
--stack_size=512

MEMORY
{
    IntVectors      (RW)  : origin = 0x00000000, length = 0x00000400
    USERCONFIG      (RW)  : origin = 0x00000400, length = 0x00000400
    FLASH           (RX)  : origin = 0x00000800, length = 0x0001F800
    SRAM            (RWX) : origin = 0x20200000, length = 0x00008000
    BCR_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00000, length = 0x00000080
    BSL_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00100, length = 0x00000080

}

SECTIONS
{
    .intvecs:   > 0x00000000
    .text   : palign(8) {} > FLASH
    .const  : palign(8) {} > FLASH
    .cinit  : palign(8) {} > FLASH
    .pinit  : palign(8) {} > FLASH
    .rodata : palign(8) {} > FLASH
    .ARM.exidx    : palign(8) {} > FLASH
    .init_array   : palign(8) {} > FLASH
    .binit        : palign(8) {} > FLASH
    .TI.ramfunc   : load = FLASH, palign(8), run=SRAM, table(BINIT)

    .vtable :   > SRAM
    .args   :   > SRAM
    .data   :   > SRAM
    .bss    :   > SRAM
    .sysmem :   > SRAM
    .stack  :   > SRAM (HIGH)

    .BCRConfig  : {} > BCR_CONFIG
    .BSLConfig  : {} > BSL_CONFIG
}

接下来定义存储器地址：

// Mark Flash Addresses
#define MAIN_BASE_ADDRESS (0x00000400)
#define MAGIC_ADDRESS (MAIN_BASE_ADDRESS)
#define MARK0_ADDRESS (MAIN_BASE_ADDRESS + 8)
#define MARK1_ADDRESS (MAIN_BASE_ADDRESS + 16)
#define MARK2_ADDRESS (MAIN_BASE_ADDRESS + 24)

#define MAGIC_VALUE (0xDEADBEEF)

int32_t Mark[3] = {MARK0_ADDRESS, MARK1_ADDRESS, MARK2_ADDRESS};

在主初始化代码中、如果已重新编程、请设置初始值-这会擦除所有保存的值：

// If necessary, init the mark flash values
  // Note if there are problems writing to flash, we may trigger an ECC error
  // and NMI.
  tmp = *(uint32_t *)MAGIC_ADDRESS;

  if (tmp != MAGIC_VALUE) {
    // initial setup of flash, set the marks to zero.
    // First erase our sector
    /* Unprotect sector in main memory with ECC generated by hardware */
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    /* Erase sector in main memory */
    cmdstatus = DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                               DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR);

    // Write Magic
    tmp = MAGIC_VALUE;
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
        FLASHCTL, MAGIC_ADDRESS, &tmp);

    // Write Mark0
    tmp = 0;
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
        FLASHCTL, MARK0_ADDRESS, &tmp);

    // Write Mark1
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
        FLASHCTL, MARK1_ADDRESS, &tmp);

    // Write Mark2
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
        FLASHCTL, MARK2_ADDRESS, &tmp);
  }

最后、如果需要、请将新信息写入闪存。请注意,我总是写*一切*闪存,但你可能不需要

void WriteMarkToFlash() {
  bool done;
  DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS cmdstatus;
  int32_t position = GetPosition();

  // since we have to erase the flash to write it, stash all the flash
  // note if the flash has gone bad, we may get an NMI...
  uint32_t magic = *(uint32_t *)MAGIC_ADDRESS;
  int32_t mark0 = (CurrentMark == 0) ? (position) : (*(int32_t *)MARK0_ADDRESS);
  int32_t mark1 = (CurrentMark == 1) ? (position) : (*(int32_t *)MARK1_ADDRESS);
  int32_t mark2 = (CurrentMark == 2) ? (position) : (*(int32_t *)MARK2_ADDRESS);

  /* Unprotect sector in main memory with ECC generated by hardware */
  DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                              DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
  /* Erase sector in main memory */
  cmdstatus = DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                                             DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR);

  // Write Magic
  DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                              DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
  cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
      FLASHCTL, MAGIC_ADDRESS, &magic);

  // Write Mark0

  DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                              DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
  cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
      FLASHCTL, MARK0_ADDRESS, (uint32_t *)&mark0);

  // Write Mark1
  DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                              DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
  cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
      FLASHCTL, MARK1_ADDRESS, (uint32_t *)&mark1);

  // Write Mark2
  DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS,
                              DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
  cmdstatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM32WithECCGenerated(
      FLASHCTL, MARK2_ADDRESS, (uint32_t *)&mark2);
}

访问闪存非常简单：

void GoToMark(int mark) { GoPosition(*(int32_t *)Mark[mark]); }

我想你必须做一些事情,以使用你的.cmd 文件的首选项,但我目前找不到它。

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2538950 points

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大家好、Jan、Hi Keith、

此过程几乎涵盖了该范围。

若要确保使用的是定制的.cmd 文件、而不是 SysConfig 自动为您生成的文件、请转至 SysConfig 文件、转至工程配置选项卡、然后禁用链接器文件生成。然后需要手动将链接器添加到顶层项目目录中。最简单的方法是生成链接器、然后禁用生成并在再次编译之前将生成的链接器复制到顶层目录。然后保存更改并重建。

如果您想更进一步、您可以通过静态写操作来保护包含版本号和其他信息的内存区域、但根据您的描述、似乎您只是想确保您不会意外地刷写此内存、因此上述过程应该没问题。

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2538950 points

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非常感谢您的答复。 Keith、您能否仍然发送 GoPosition ()和 GetPosition ()函数的样子？谢谢你

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2538950 points

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我可以这么做、但这实际上特定于我的步进电机驱动应用、重点是向您展示如何访问闪存：

int32_t GetPosition() {
  int32_t tmp;
  /// Safe way to get position even while running

  NVIC_DisableIRQ(TIMER_0_INST_INT_IRQN);
  tmp = StepCount;
  NVIC_EnableIRQ(TIMER_0_INST_INT_IRQN);

  return tmp;
}

void GoPosition(int pos) {
  int32_t distance;

  Stop();

  // Find out how far
  distance = pos - StepCount;

  DoAccel = true;
  CurrentSpeed = SLOWSPEED;

  if (distance > 0) {
    StepDir = FWD_DIR;
    DL_GPIO_clearPins(GPIO_STEPPER_PORT, GPIO_STEPPER_PIN_DIR_PIN);
    CurrentStep = 0;
    NumSteps = distance;

  } else if (distance < 0) {
    StepDir = REV_DIR;
    DL_GPIO_setPins(GPIO_STEPPER_PORT, GPIO_STEPPER_PIN_DIR_PIN);
    CurrentStep = 0;
    NumSteps = -distance;
  }

  DisplayPos();
}

int32_t GetPosition() {
  int32_t tmp;
  /// Safe way to get position even while running

  NVIC_DisableIRQ(TIMER_0_INST_INT_IRQN);
  tmp = StepCount;
  NVIC_EnableIRQ(TIMER_0_INST_INT_IRQN);

  return tmp;
}

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] MSPM0G3507：存储变量