[参考译文] TMS570LC4357：Fapi_issueProgrammingCommand 和 ECC 编码

尊敬的 Veena：

我对延迟答复表示歉意。

Unknown 说：

a)in Fapi_issueProgrammingCommand ()中、如果 EccGeneration 是在 oMode 中指定的、我们是否需要指定指向 Fapi_Auto 缓冲区地址的 pu8EccBuffer [IN]指针、还是应该为0？[/QUOT]

对于  ECCccGeneration 、会自动计算输入数据的 Fapi_Auto 值、并将其编程到相应的 ECC 部分中。 在这种情况下、我们不需要提供 ECC 缓冲区。

是的、它应该为零。

下面是示例代码：

[quote userid="442323" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1450343/tms570lc4357-fapi_issueprogrammingcommand-and-ecc-encoding ">b)我无法理解 SPN563A 中表7-1中指定的 ECC 编码、其中提到了 ADDR_MSW_LSW？ 这些地址 ADDR_MSW_LSW 是否会 将闪存表示为 0x00000000至0x3FFFFF 范围内的存储器映射、但  ADDR_MSW_LSW 中的地址似乎有所不同？[/QUOT]

确定 ECC 位是通用编码算法。

例如、下面突出显示的 ADDR_MSW_LSW 值表示要计算 ECC 第七位、需要对哪些地址位和数据位进行 XOR 运算。

 ADDR_MSW_LSW 中的位1 表示相应的位值应需要为 XOR 才能生成 ECC。

整个算法是内部的、因此无需花费太多时间。

——
谢谢、此致、
Jagadish。

Jagdish、您好！

感谢您的答复。 我需要了解详细信息以进行验证、从而检查是否在正确的位置写入了正确的 ECC。

关于 b)中的问题、我想确定我需要在 a)中的示例中使用哪一行-请您澄清一下该示例、以及如何得出该结果？   

对于  ADDR_MSW_LSW 、我们应该使用哪个地址、即编程地址还是 ECC 地址？

尊敬的 Veena：

每次写入都需要使用所有行、我的意思是如果您确认清楚、每行只计算 ECC 的一位。 因此、要为64位数据获取8位 ECC、您需要使用所有行。 ECC 始终仅为64位数据的倍数进行计算。

我为 ECC 验证创建了一个 Excel、请参考一次：

e2e.ti.com/.../ECC_5F00_calculation_5F00_Big_5F00_Endian_5F00_Devices_2800_LC4357_2900_.xlsx

在上面的 Excel 中、我实现了整个编码算法。 例如、您可以看到、对于计算 ECC[0]位、我对 TRM 编码表中提到的所有位执行了异或运算。

在这里您只需要在橙色单元格中输入输入、就会在绿色单元格中输入输出 ECC。

例如、如上图所示、如果我在0x21FFF0处写入数据0xEEFF0011AABBCCDD、则会在相应的 ECC 位置获得 ECC 值为0x2E。

我在实际中也测试了这一点：

您可以在上面的图片0xEEFF0011AABBCCDD 位于0x21FFF0处、并在结果控制器中将0x2E 写入相应的 ECC 存储器位置。

——
谢谢、此致、
Jagadish。

Jagdish、您好！

a)感谢您提供电子表格。 我实施并测试了几个场景、并使用您发送的电子表格进行了验证。 大多数情况下都可行、但 我发现、在一种情况下、闪存中报告的 ECC 与电子表格中计算的 ECC 不匹配。 编程的闪存地址为0x0003E0000、数据为：

您发送的电子表格将 ECC 给出为93、但 0xF047C000中的 ECC 为12。 请在结束时尝试此场景并检查是否出现相同问题？

尊敬的 Veena：

我休息了几天,没有机会解决这个问题。

您是否仍然受困于此问题？ 如果需要、我将创建一个示例、从而在结束时对其进行验证

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谢谢、此致、
Jagadish。

Jagdish、您好！

是的、我还在等待这个问题的答案。 您最后能否验证您在存储器浏览器中看到的 ECC 是什么。 谢谢。