[参考译文] TPA3255：用于更大限度减少输入直流阻断电容器失真的模拟解决方案

Other Parts Discussed in Thread: TPA3255

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1573139/tpa3255-an-analog-solution-to-minimize-input-dc-blocking-capacitor-distortion

器件型号： TPA3255

工具/软件：

您好：

我计划基于 TPA3255 构建高保真音频设计、目标是发挥此芯片的绝对出色性能！

我目前主要关注输入耦合电容器失真。 经过一些研究、以下是关于权衡因素的发现：

• 铝电解：对老化和温度变化很敏感、如果截止频率不低于较低音频带宽 (0.2Hz) 至少二十倍频、则失真会变得更高。
  
• MLCC（（II 类）：受到微音器效应的影响。
• I 类陶瓷 (C0G/NP0)：出色、但在所需的 µF μ A 范围内不可用。
• 薄膜电容器：非常适合音频、但体积大、价格昂贵且越来越难找到（例如，WIMA 已停产了许多系列）。

根据我在较旧 E2E 主题中读到的内容、输入电容器是 必填 由于内部直流偏置（我假设该电压大约在 0.5 × AVDD 附近？）、因此会出现在 TPA3255 上。 因此、即使我使用双轨前置放大器、如果未被阻止、此内部偏置仍会耦合到前置放大器输出中。

我的问题是：
是否有任何巧妙的模拟方法来避免直接在信号路径中放置大型电解电容器？  我正在探索使用直流伺服或自举/浮动电阻器等想法、基本上、任何允许用较小的器件替换大耦合电容器的技术、可能放置在运算放大器级 IDK 的反馈路径中。

我遇到了一些与此概念相关的文档：
TI 应用报告：Slyt226
专利 US5568561.
该公司应用手册：AES6261

此外、PFFB（后置滤波器反馈）是否以任何方式帮助解决该问题？

我非常感谢您的任何想法、尤其是那些从事原始 TPA3255 IC 设计工作的人、因为他们对黑盒内部发生的事情有着最充分的想象力！ 一个非常详细的回答会是极好的:)

非常感谢！