Other Parts Discussed in Thread: TAS5815
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器件型号： TAS5815
您好的团队、
我们正在查看 TAS5815 输出级导通电阻、以用于损耗和热设计计算。 TAS5815 数据表列出、在 VPVDD = 24V、I (OUT)= 500mA、TJ = 25°C 的条件下、RDS (ON) 为 120m Ω、描述为每个单独输出 MOSFET 的 FET +金属化。
问题：
- 是否保证了 TAS5815 RDS (ON) 的最大值？
- 如果没有保证的最大值、TI 是否有用于最坏情况损耗计算的建议设计值或降额指南？
- 是否可以分享任何 RDS (ON) 与结温或生产容差的变化数据？
此致、
Ryu。
