[参考译文] OPA1612：opa1612 G=-1 THD 降级。

您好，

您可以共享频谱图片的屏幕截图吗？

郑

我无法打开.rar 文件。 如果您可以提供数据的屏幕截图，我可以查看是否有任何突出的数据。 逆变病例的 THD 预计会轻微降解。  非反相与反相将有噪声增益差异和闭环增益带宽差异。  

我确实看到了你关于 PCM1798的帖子。  您是否能够排除 DAC？ 考虑到在 Vf3和 Vf4上的-125dbc 测量值，您似乎已经从该阶段取得了进展。  

我们正在考虑一些事情，例如热，以及这个频率的串扰。 关于温度，反相外壳的有效负载为375欧姆。 这是根据 RL = 600与 R3 = 1k 并行计算得出的。 无反相外壳的有效负载为461.5欧姆。 这是通过将 R2 =1k 和 R4 =1k 与 RL =600欧姆相加计算得出的。 如您所述，散热性能可能会影响 THD。  

请提供以下信息：

1)结果的屏幕截图。

2)完整示意图。

我注意到蒂娜原理图和另一篇文章的原理图之间的区别。 您使用的是双 OPA1612还是单 OPA1611？

您好，Chris，

很抱歉，我无法在此分享完整的示意图。

左侧为 G=1，右侧为 G=2。

我确实看到了你关于 PCM1798的帖子。  您是否能够排除 DAC？ 考虑到在 Vf3和 Vf4上的-125dbc 测量值，您似乎已经从该阶段取得了进展。 --- 郑重放：是的，排除 DAC。 DAC 输出具有一个到单端的差动电路，THD 在单端约为-112dbc

点(因为我发布 PCM1798问题，这是因为输出- THD 不好)，然后通过1.5K 滤波器(大约12dB 抑制到 HD2），THD 在上图 VF3/4点中大约-112-12=-123dbc。

我使用的是双1612。我还测试了一 个 OPA1612中的串扰影响 U1/U2。 我删除了 R35，VF1输出为0电压，然后测试 VF2点，G=-1 THD 没有改善。

但我可以向大家分享一些其他有趣的信息， 当删除 R35和 U1在 G=-1模式下工作时，因为 U1非反转输入 PIN2连接到 GND，理论上引脚3也应该是0电压，但我在引脚3中测量了-100dbc 1kHz 信号(VF4在信号）中有2rms 电压1kHz)。

您好，Chris，ñ o

我还有一个问题，在 OPA1612数据表中，图11年9月10日 显示了在个别情况下的 THD+N 性能。我想知道这些性能仅在 opa1611中测试，或者在1611和1612中测试。  

我还想知道 TI 如何测量 G=-1 THD 性能 ，数据表“8.3总谐波失真测量”显示了在 G=1时如何测量 THD。请参阅以下内容。但当 R1=4.99K，R2=4.99K，R3=49.9时，我对低于 G=-1 THD 测量感到困惑。我认为 G=2不是-1？ 您的想法如何？  谢谢！

 

你好，Jung，

[引用 userid="509336" url="~ë/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1066298/opa1612-opa1612-g-   1）降级/3945660#3945660"]但我可以向您分享一些其他有趣的信息，当删除 R35时，U1在 G=1模式下工作，因为 U1非反转输入 PIN2连接到 GND，理论上引脚3也应该为0电压，但我以引脚3测量了-100dbc 1kHz 信号(VF4具有2rms 电压/1kHz 报价)。

  这可能是布局中的潜在接地回路问题。 此问题是否发生在多个主板上？

我注意到，设计中有两个 OPA1612装置。 你是否曾尝试更换过 OPA1612部队的职位？ 如果是，问题出在设备上，还是出现在系统的最终输出上？  

您能否向我们提供设备的批号以及德州仪器(TI)分销商？

关于数据表，-1的增益是正确的。 我们还应该在 PDS 中放置信号增益的反向方程式。 在增益为-1的情况下，当非反相端子位于接地时，信号将应用于电阻器 R1。 这将形成增益为-R2/R1的标准反相电路。  

您好，Chris，

我的主板有一个接地层， U1引脚3通过直径为0.2毫米的连接到接地层。这是否会导致接地回路问题？

我目前只测试一个主板。

是的，Exchange opa1612，也在一个 opa1612中交换了两个 opa1611，同一个现象。  

我从慕斯购买芯片， 并尝试用 TI 的样本(Lot：1228402MY1)替换，但没有改进到 G=-1 THD。

郑

我们怀疑存在接地回路的原因是地面上存在信号。 在接地平面上测得的信号可能是与探头的干扰耦合。  

两个通道之间的 THD 差异最可能的原因似乎是负载差异。 反相电路加载了 375欧姆的有效负载。 非反相电路的有效负载为 461.5欧姆。  THD 在负载为2k 欧姆的两个放大器上是否都有改进？ 我希望这两个渠道之间的差异能够得到改善。  电阻器 R2，R3和 R4也可以从1k 增加到2k，作为一项实验，看看 THD 是否有改善。

您使用的电阻器尺寸是多少？ 0402，0603等。您能否提供电阻器的部件号？

我下周要交付板，以尝试并复制此度量值。   

您好，Chris，

你是对的，Op 的 THD 对它的负载敏感。我稍后会发布 PCM4222问题。

当 load=2k，g=1 tHD 得到改进且 G=1降级时。因此，我在 VF2后添加 G=1缓冲区，并将 R1从2k 更改为200ohm，然后输出-120dbc 以下添加缓冲区的 THD。这是 mt 测试结果， 但我不知道为什么 G=1需要一个小负载，而不是像 G=1这样的大负载？ 您可以在您的主板上试用，看看它是否与我的测试结果相同？

电阻器是 Yageo 的0603 1/10W 0.1%薄膜。

你好，Jung，

我一直在和 Chris 讨论这个问题，我们肯定可以重复这一测量，但需要几天时间才能将硬件安装到位。

我很好奇，你提到你在 U1的输出中添加了缓冲区，THD 也得到了改进，如果负载导致灵敏度提高，这就很有意义。 但您也提到您在 R1上添加了一个200欧姆电阻器，但这会增加负载，因为 R1连接到 U1的输出。  是这样吗？

另一个需要注意的问题是，当 U1上的负载降低时，电路板上和电源上的电流总体上会减少。  您是否有旁通盖。靠近 U1，类似于0.1 UF 陶瓷？  如果电源的变化很大且与负载相关，则可能会导致问题，并导致旁路盖。这将有助于补救。

此致，
迈克

迈克尔：

我在上面的回答中有一些错误，我写道“G=-1需要一个小负载，意味着需要一个小负载电阻器”。您写道负载下降意味着更小的负载电流，对吗？  

是的， 我的测试需要 R1=200欧姆，如果删除 R1或将 R1增加到2K，缓冲器输出 THD 仍无法改善到<-120dbc。

图7显示的测试结果与数据表不匹配，因为 load=2K 的性能优于 G=1中的 load=600ohm。

我有0.1uf 接近 U1。

谢谢！

你好，Jung，

我无法解释为什么 TR1=200欧姆时 THD 更好。 您能对如何进行此测量发表更多评论吗？您是在查看 ADC 的结果，还是直接将其输入网络分析仪？  

我们将尝试在此处重新生产，希望在未来2天内获得相同配置的 THD 与负载曲线。

此致，
迈克

嗨，迈克尔

好的，谢谢！

在我的测量中，直接馈入 具有600欧姆电阻负载的音频分析仪。

BTW，您如何测量 THD？

你好，Jung，

我们测量电路的方式是使用如下所示的测试电路。 我们使用音频精确度进行 THD + N 测量。 电路有增益，此增益已从最终结果中校准。 这样做是为了克服测量系统的局限性，因为我们设备的 THD 非常好。 我们需要在测量前进行放大。  

此致，

克里斯·费瑟斯通

你好，Jung，

明天我将测量 THD 与电阻负载，并将在星期五结束前向您更新结果。  

此致，

克里斯·费瑟斯通

您好，Chris，ñ o

感谢您的支持。

郑

我必须将这些测量推迟到下周结束。 对此造成的不便，我深表歉意。 我将用可用的结果更新此线程。  

此致，

克里斯·费瑟斯通

您好，Chris，

很抱歉打扰你。

您是否对测试结果有任何更新。谢谢！

你好，Jung，

很抱歉，Chris 仍不在办公室。  他将在下周初回来。

此致，
迈克

你好，Jung，

我回到办公室。 我今天做了一些测试。 我目前正在处理数据，并将在明天分享我的结果。 很抱歉耽误你的时间。  

此致，

克里斯·费瑟斯通

郑

我已经使用电路的等效负载条件测量了 THD+N (%)与输出振幅，以获得反相和非反相增益。 电源电压为+/-18V。 频率为1kHz。 我使用的收益是+/- 1。 对于-1的增益，我看到 THD + N 的-126dB。我在下面计算得出的结果是5.08E-7 (5.08E-5/100)转换为 dB。

使用产品数据表中的测试电路，我发现反相和非反相之间的差值大约为6dB。 这一6dB 差是因为对于非反相，我们将结果除以101或40dB，反相除以51或36dB。  

今天下午，我将测量 FFT 图。 这将使我们能够看到谐波本身并与您的结果进行比较。 我已经为您的6Vpp 或2.12VRMS 条件标记了输出振幅的位置。 在图解中，在本节中，数据是噪音控制的，因此我不清楚 HD2对于反相情况是否更高。 随着振幅进一步增加到10VRMS，我们成为了 THD 的主导，并观察到 THD 随着负载的增加而增加。  

收集完 FFT 图后，我会用这些图解更新此线程。