我正在研究一种使用LM4.8511万放大器的设计,但它更容易受到噪音的影响,因为需要使用单端信号作为输入。 为了防止高频噪音排放到音频路径中,我有一个相当具体的问题:
是否存在通过在两个放大器增益设置反馈电阻器之间放置一个小值电容器(在每个反馈电阻器上放置相同值的电容器)来限制LM4.8511万放大器高频性能的相关问题。 即,电阻器在数据表部分7.2 和8.2 中称为R6和R8,在部分8.2 中称为RF 2.3。
感谢您的时间!
托德
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我正在研究一种使用LM4.8511万放大器的设计,但它更容易受到噪音的影响,因为需要使用单端信号作为输入。 为了防止高频噪音排放到音频路径中,我有一个相当具体的问题:
是否存在通过在两个放大器增益设置反馈电阻器之间放置一个小值电容器(在每个反馈电阻器上放置相同值的电容器)来限制LM4.8511万放大器高频性能的相关问题。 即,电阻器在数据表部分7.2 和8.2 中称为R6和R8,在部分8.2 中称为RF 2.3。
感谢您的时间!
托德
您好,Jos é,
感谢您的回复。 遗憾的是,这并不是我所希望的答案,但让我看看我能否重新表达我希望了解的内容:
1) LM4.8511万内部是否存在任何限制其高频响应的因素,如果是,如果放大器的模拟部分具有大约3.3 的单端增益,则高频角频率是多少。
2)当您说"输入组件之前的低通滤波器"时,您是指具有低阻抗输出的有源滤波器,还是只是一个可接受的简单RC滤波器(假设单极滤波器足以消除我们关注的噪音)。 当我说一个简单的RC滤波器时,我正在考虑将输入电阻器分成2个部分,并在接头处将电容器接地。 数据表中关于此放大器频率响应的信息基本上为零。 典型开环增益(模拟放大器)与频率的图解对于回答这些类型的频率响应和稳定性问题非常有用。
谢谢!
托德