pcm510x的示例原理图显示了每个导轨(AVDD，DVDD和CPVDD)上的10 uf极化帽和.1uf非极化帽。
评估板示意图显示10 uF极化盖(可能是铝电解)为DNP (不填充)，描述表明可以消除这些盖以节省板空间和成本：
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对于PCM510x器件周围的模拟电路，可以以较高性能为代价卸下某些组件。 这种可配置性可以实现主板空间和性能之间的最佳比率。 C1，C3，C7和C11等组件都可以卸下以获得额外的电路板空间
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(C1，C3，C7和C11是极化分离器)
但是，单个10 uf 陶瓷 (X7R)代替1 .1uf和10 uf电解质又怎么样？
通常，当需要大量电容(本例中为10 uf)，但也需要低ESR时，会使用两个并联电容器。 小电容提供低ESR，而大电容提供所需的大容量电容。 但是 ，10 uf X7R陶瓷电流罩具有如此低的ESR (与.1 uf电流罩没有显著区别)，我认为平行去耦电流罩不会提供任何好处。
但我仍然看到了生产中的设计(例如 PHatDac)，在某些导轨上具有10 uf陶瓷和1 uf陶瓷。 这是否仅仅是因为他们实施了参考原理图并将10 uf陶瓷替换为原理图中所示的极化盖，而没有意识到如果使用陶瓷10 uf盖则不需要.1 uf？
第二项质询—
如果为AVDD，DVDD和CPVDD使用单个3.3V电源，是否需要在非常靠近每个引脚的位置进行10 uf去耦？ 或者，使用一个(或多个并联) 10 uf，X7R，0805盖板使其离引脚稍远一点，并使0.1 uf 0603 X7R尽可能靠近每个引脚，这是否足够？
第三项质询——
虽然卡上有“嘈杂”的3.3 ， 但通过使用具有高PSRR的LINREG，为5.0 的PCM510x创建了专用的.3V电压。 在所有PCM510x导轨上使用这种清洁的3.3V电源是否更好，或者在PCM510x DVDD上使用“脏”3.3V更好？
