[参考译文] LM5141-Q1 IC过热

您好，

感谢您分享有关您设计的详细信息。

至主板底部的接地连接对于散热非常关键。  我建议增加主板底部的接地平面，类似于EVM：

我还会与产品专家分享您的描述，以获得任何其他建议。

此致，

Katelyn Wiggenhorn

谢谢，我确信 IC GND足够，因为IC不是 分频 器设备

我发现主要原因是     ，当输入 超过 20V时，高MOS驱动器非常弱  

如图所示：

输入为12V，MOS电压正常，IC，MOS不能过热

输入电压为30V，MOS Vgs波的顺序不正确，IC和MOS 很热

输入电压为40V，MOS Vgs波更有问题

驱动程序非常弱，因此在 加载时MOS很热， 我理解这种状态

但  当   输入 电压为，Ω 时，IC会很热， 并且驱动器波不能 完全为 MOS开关供电，Ω

那么IC在什么情况下不能在高输入电压下工作？

用户，

感谢您的详细信息。 这是我的想法。

1.接通时间不应随负载的增加而变化太多。 占空比(理想情况下)是恒定的VIN和VOUT。 由于降压电路中的功率损失，公吨只能略微增加。 Toff增加的原因是低侧FET仅在电感器中存在电流时才打开。 较轻的负载意味着IL达到零安培，低侧FET关闭(二极管仿真，连接到GND的DEMB引脚)。 重负载意味着IL不会达到零安培，因此当高侧FET打开时，低侧FET将关闭(在3A波形中)。 所以这是正常的。

2.使用 注嘴和料筒方法 进行这些测量非常重要。

3.我相信如果灰色部分是实心铜，IC上的热布局是好的。 看起来是这样的。 如果没有，则延长连接到底层IC热导通孔的GND平面。

4.原理图看起来不错。 稳定。 已在WEBENCH上确认。

5.最初看起来布局还可以，但对我来说最突出的一件事是输出电容器的放置。 当从Cout (GND垫)到CIN (GND垫)时，电流有很长的移动距离。 这可能会导致问题。 请参见图片(红色箭头为顶层，蓝色为底层)。 有关详细布局指南，请参阅数据表。

6.当高压侧打开时，低压侧似乎开始打开，但它返回到GND。 这看起来很不正常，可能是由于测量技术，但我们应该找出原因。

7.也请像测量高侧浇口一样测量低侧浇口。 如果可以，请使用差分探头。 否则，使用2个通道(门上的通道1，源上的通道2)并从源中减去门。

Sam

Deer Sam：

 感谢 您帮助 我分析我的电路，现在我了解了低侧MOS在不同 电流负载下的接通时间如何变化！

第5点：我不认为当前路径太长

第6点：你说的是对，低边MOS几次，当高边MOS开始，但我不知道如何测试

Sam：í a

 我？您所说的话，，但我要测试哪一点  

用户，

我的想法是使用注嘴和料筒方法重新获取您已获取的数据。 并将以上我在第7部分中建议的数据记录起来。 但我只是注意到了其他一些东西。

IC (C7)附近的VIN电容器具有从VIN到IC接地端的长路径。 此回路应该非常小。 当前布局中的大回路会解释错误的门驱动波形。 尝试拆下C7，然后将其放在IC顶部，并直接从VIN针脚到盖，再从盖直接到PGND针脚焊接导线，以测试是否是问题所在。

您也可以尝试将C7从0.47uF增加到2.2uF或4.7uF。

Sam